功率器件复习(第二、三章精心整理).pdfVIP

第二章 功率二极管 1、PN结的穿通：是指空间电荷区随反向电压的升高而展宽到与电极 接通而发生的短路现象。需要承受很高的反向电压而正向导通时的电 流容量又要很大的PN结比较容易碰到穿通问题 2 、PN结的反向击穿 PN结反向电压增加过大，达到反向击穿电压VBR时，反向电流将会急 剧增加，破坏了PN结反向偏置为截止的工作状态，这种状态称为反向 击穿。 3雪崩击穿是电力半导体器件中最常见的击穿现象。 为同时满足正反 两种偏置状态要求 （正向导通电流容量大、反向耐压高），功率器件 的PN结通常为单边突变结。反向电压VR↑—空间电荷区内电场强度↑ — 载流子漂移运动的动能↑—与晶体原子发生碰撞使之电离 — 空 间电荷层载流子浓度↑ （数 目倍增）—反向电流IR ↑ — 单向导电性 遭到破坏 （击穿）。雪崩击穿通常发生在空间电荷区较宽的轻掺杂一 侧，对于单边突变结，雪崩击穿电压UB随着轻掺杂区的杂质浓度的升 高而下降。 4 、雪崩击穿和隧道击穿的主要区别 • 隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场；雪崩击穿除了 与电场有关外,还与空间电荷区宽度有关。 • 雪崩击穿是碰撞电离的结果，如果用光照等其他办法，同样会 有倍增效应；而上述外界作用对隧道击穿则不会有明显的影 响。 • 隧道击穿电压随着温度的增加而降低，温度系数为负数；而雪 崩击穿电压随着温度的增加而增加，温度系数为正数 。 PN结的反向电流会随着结温的上升而增大。 5、PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容 CJ ，又称为微分电容。 正向偏置条件下，当正电压较低时，扩散运动较弱，势垒电容 占主要 成份；正向电压较高时，扩散运动加剧，使扩散电容按指数规律上 升，成为PN结的主要成份。 反向偏置状态下，因扩散运动被抑制，因而表现出较小的扩散电容， 因此PN结电容以势垒电容为主。 6、PN结的电导调制效应 （以P+N为例） P 区向N 区注入空穴，在N 区形成少数载流子积累，与N 区的电子复合 而形成少子浓度梯度，随着正向电流的上升，少数载流子的积累增 多，少子浓度梯度变缓。少子空穴浓度分布在大部分高阻N 区。因为 注入的少子浓度远高于N 区的平衡少子浓度，因而使得N 区的电阻率下 降，电导增加。 7、利用二极管正、反向电流相差悬殊这一特性，可以把二极管作开关 使用。 提高PN结开关速度的途径： 一、从电流角度考虑，可以减小正向注入电流和增大抽取电流 （即初 始反向电流 ）IR 。 二、从结构角度考虑，就是降低少数载流子的寿命。器件制造工艺中 常掺入某些特殊杂质 （如金、铂、铜、镍等）的方法来缩短少子寿 命，这是提高开关速度最主要的方法 8、功率二极管的结构 主要有螺栓型和平板型两种封装。电导调制效应使得PN结在正向电流 较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低 阻态 9、提高功率二极管的反向阻断能力，避免表面击穿，其PN结外露处 通常都经过了特殊的造型处理。一类是台面造型，另一类是加保护环 （也称终端延伸技术） 功率二极管属于功率最大的半导体器件，现在其最大额定电压、电流 在8kV、6kA以上。 10、普通二极管Line-frequency Diodes——正向压降可以设计的尽可能 的低，但是通常trr较大，用于线性频率的系统， 耐压几千伏，电流几 千安。 快恢复二极管FRD——采用扩散法和少子寿命控制技术制成，特点是 反向恢复很快、成本低，但是反向恢复波形很硬。 肖特基二极管Schottky Diodes——导通压降只有0.4V （forward voltage drop ）反压为50-100V 。反向恢复时间更短，10～40ns，不会有明显的 电压过冲。缺点是当提高反向耐压时，正向压降也会提高，多用于 200V 以下的低压场合；反向漏电流也很大。 11、Pin二极管 中间的i层一般用电阻率很高的p型或n型层代替，因为完全没有杂质的 本征层很难实现。常将高阻p层称为π层，高阻的n层称为v层。故实际 的pin 二极管为pπn和pvn结构。 12 、肖特基二极管特点 （反向恢复时间极短 （可以小到几纳秒），正 向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优 良特 性是快恢复二极管所无法比拟的。） 优点：1、