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模拟电子技术复习提纲 （各章重点及公式汇编） 掺杂 5 价 3 价 多子 施主杂质 电子 受主杂质 空穴 少子 空穴 电子 第三章半导体 第三章 半导体 N 型 P 型 1. 半导体 2．PN 结正偏时： 反偏时 ： 削弱内电场 PN 结变窄，导通； 增强内电场 PN 结变宽，截止 条件BE 条件 BE 结正偏 关系式 Ic=βIb NPN 型 VBE= (Si) (Ge) UCE＞1V PNP 型 VBE=- BC 结反偏 放大功能 (Si) (Ge) UCE＞-1V IE = IC+IB ? ? ? ? ? ?IC ;? ? ? ? ? ? ? ?? ? ?IC ? E C B ?I ?I ? 1 ? ? ; B E ≥ I ＞＞I 反向饱和电流ICBO；穿透电流ICEO = (1+β) ICBO 4、共射放大器 （2）最大不失真Vom（振幅）计算 （1）图解方法： 不产生截止失真U 不产生饱和失真U ? I R om CQ L ? U ? U om CEQ CES U 取U om 和U 中小值 om om （3）NPN 管共射放大的失真及消除方法 （3）NPN 管共射放大的失真 及消除方法 U（t）截止失真波形 U（t）饱和失真波形 （4）直流通路和交流通路要求能熟练掌 握 （5）三极管小信号等效电路 电路静态工作点Q的计算共射放大(固定偏置 电 路 静态工作点 Q