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光刻技术及其应用地现状及展望 光刻技术及其应用地现状及展望 光刻技术及其应用地现状及展望 合用标准文档 光刻技术及其应用的现状与展望 文案大全 合用标准文档 序言 光刻技术作为半导体及其相关产业张开和进步的要点技术之一，一方面在过去的几十年中发挥了重要作用； 另一方面，随着光刻技术在应用中技术问题的增加、用户对应用自己需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步突显等等，搜寻解决技术阻挡的新方案、 搜寻 COO更加低的技术和找到下一俩代可行的 技术路径，去支持产业的进步也显得特别紧迫，备受人们的关注。就像 ITRS 对未来技术路径的校正相同，上世纪根本上 3～5 年修正一次，而进入本世纪后，根本上每年都有修正和新的版本出现， 这充分说了然光刻技术的重要性和对产业进步的影响。 2005 年 ITRS 对未来几种可能光刻技术方案进行展望。也正是基于这一点，新一轮技术和市场的竞争正在如火如茶的张开， 大量的研发和开发资本投入到了这场竞赛中。 因此，正确掌握光刻技术张开的主流十分重要， 不但可以节约时间和金钱， 同时可以缩短和用户使用之间的周期、 缩短开发投入的回报时间，由于光刻技术开发的投入比较弘大。 光刻技术的现状及其应用状况 众说周知，电子产业张开的主流和不可以阻截的趋势是“轻、薄、短、小〞，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率， 即提高可以完成转印图形也许加工图形的最小间距也许宽度， 以满足产业张开的需求； 另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的屡次性使得光刻技术的牢固性、 可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和本钱有重视要的影响， 这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下，拥有较低的 COO和 COC。因此，光刻技术的纷争主若是厂家可以供给给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。 以 Photons 为光源的光刻技术 在光刻技术的研究和开发中，以光子为基础的光刻技术种类好多，但产业 化远景较好的主若是紫外 (UV)光刻技术、深紫外 (DUV)光刻技术、极紫外 (EUV) 光刻技术和 X 射线 (X-ray) 光刻技术。不仅获取了很大成就，而且是目前产业中 使用最多的技术，特别是前两种技术， 在半导体工业的进步中， 起到了重要作用。 文案大全 合用标准文档 紫外光刻技术是以高压和超高压汞 (Hg) 也许汞 - 氙 (Hg-Xe) 弧灯在近紫外 (350 ～450nm)的 3 条光强很强的光谱 (g 、h、i 线) 线，特别是波长为 365nm的 i 线为光源，配合使用像离轴照明技术 (OAI) 、移相掩模技术 (PSM)、光学凑近更正 技术 (OPC)等等，可为 0.35 ～0.25 μm的大生产供给成熟的技术支持和设备保障， 在目前任何一家 FAB中，此类设备和技术会占整个光刻技术最少 50％的份额； 同时，还覆盖了低端和特别领域对光刻技术的要求。 光学系统的结构方面， 有全 反射式 (Catoptrics) 投影光学系统、折反射式 (Catadioptrics) 系统和折射式 (Dioptrics) 系统等。主要供给商是众所周知的 ASML、NIKON、CANON、ULTRATECH 和 SUSSMICROTECH等等。系统的种类方面， ASML以供给前工程的 l:4 步进扫描系统为主，分辨率覆盖 0.5 ～0.25 μm：NIKON以供给前工程的 1：5 步进重复系 统和 LCD的 1：1 步进重复系统为主，分辨率覆盖 0.8 ～0.35 μm和 2～ 0.8 μm； CANON以供给前工程的 1：4 步进重复系统和 LCD的 1：1 步进重复系统为主，分 辨率也覆盖 0.8 ～0.35 μm和 1～0.8 μm；ULTRATECH以供给低端前工程的 1： 5 步进重复系统和特别用途 ( 先进封装／ MEMS／，薄膜磁优等等 ) 的 1：1 步进重复 系统为主；而 SUSSMICTOTECH以供给低端前工程的 l ：1 接触／凑近式系统和特别用途 ( 先进封装／ MEMS／HDI 等等 ) 的 1： 1 接触／凑近式系为主。别的，在这个领域的系统供给商还有 USHlO、 TAMARACK和 EV Group 等。 深紫外技术是以 KrF 气体在高压受激而产生的等离子体发出的深紫外波长 (248 nm 和 193 nm)的激光作为光源，配合使用 i 线系统使用的一些成熟技术和 分辨率增强技术 (RET)、高折射率图形传达介质 ( 如吞没式光刻使用折射率常数大 于 1 的液体 ) 等，可完好满足～0.18 μ m和 0．18μm～90 nm的生产线要求；同时， 90～65 nm的大生产技术已经在开发中，如光刻的成品率问题、光刻胶的 问题、光刻工艺中弊端和颗粒的控制等， 依旧在打破中； 至于深紫外技术能否满足