LED灯生产工艺教学内容.pdf

精品文档 LED灯生产工艺 §1 LED 制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电 极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。 图 2.1 LED 制造流程图 上游 晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓） 单晶片衬底 在衬底上生 长外延层 外延片 成品：单晶片、外延片 中游 制程：金属蒸镀 光罩腐蚀 热处理（正负电极制作） 切割 测试分选 成品：芯片 下游 封装：固晶 焊线 树脂封装 切脚 测试分选 成品： LED灯珠、 LED贴片和组件 精品文档 精品文档 §2 LED 芯片生产工艺 LED照明能够应用到高亮度领域归功于 LED芯片生产技术的不断提高，包括单 颗晶片的功率和亮度的提高。 LED上游生产技术是 LED行业的核心技术，目前在该 技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED上游生 产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 图 2.2 蓝光外延片微结构 图 正极 P 型 GaN P 型 AlGaN InGaN 量子阱（ well ） N 型 InGaN 负极 N 型 AlGaN N 型 GaN P 型 GaN GaN缓冲层（ buffer ） 蓝宝石衬底（ subatrate） 生产出高亮度 LED芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是 LED发的 方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光 1WLED流明值已经达能到 150lm 之高。 LED上游技术的发展将使 LED灯具的生产成本越来越低，更显 LED照明的优势。以 下以蓝光 LED为例介绍其外延片生产工艺如下： 首先在衬低上制作氮化鎵 (GaN)基的 外延片 , 这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉 (MOCVD)中完成的。准备 好制作 GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以 逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底 , 以及 GaAs、AlN、 ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物 ( 前驱物 ) 及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3在衬底表面 进行反应 , 将所需的产物沉积在衬底表面。 通过控制温度、 压力、反应物浓度和种类 比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。 MOCVD外延炉是制作