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硅基氮化镓在大功率 LED 的研发及产业化 日前，在广州举行的 2013 年 LED 外延芯片技术及设备材料最新趋势专 场中，晶能光电硅衬底 LED 研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为 硅衬底氮“ 化镓大功率 LED 的研发及产业化 ”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率 LED 研发及产业化和大尺寸硅衬底 LED 技术的最新进展。 在演讲中，孙钱博士讲到目前很重要的就是追求高性价比的 LED 。从外延 的第一步开始来看衬底，蓝宝石衬底占了 10% 的市场，技术成熟并且目前是市 场的主流，但蓝宝石衬底有散热的问题，尺寸很难做到 8-12 寸，价格也比较贵， P 面电流扩展差，对中国的 LED 产业发展也有很多现实的问题。 而硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好 ;难点就是有很高的缺陷密度， 降低 LED 的光度。学术界希望把硅和氮化镓整合在一起，但是有困难，主要 困难是镓与硅之间的大晶格失配。由于很高的缺陷密度， 54% 的热膨胀系数， 外延膜在降温过程中产生裂纹。金属架直接与硅衬底结束时会有化学回融反应。 氮化镓和硅整合在一起很困难，前面做了很多工作，比如硅衬底表面刻槽， 氮化镓超晶格缓冲层，这些可以实现无裂纹，这是基本可行的路线。晶格失配 17% ，这个会影响材料的性能，现在生产到 4 微米氮化镓没有裂纹，晶体质量 与蓝宝石平片衬底上的外延，硅上垫外延片弯曲度小于 10 微米。 硅衬底是崭新的导体，它是会吸收阳光分子，我们可以利用化学腐蚀掉， 如果薄膜只有几微米，我们就做金属接触反射。 生产的数据，这是片内的波长标准偏差标准为 1.3nm ，波长范围为 4nm 微 米。硅衬底氮化镓基 LED 外延片的翘曲度很小， 2 英寸硅衬底 LED 大多数在 4-5 微米左右， 6 英寸在 10 微米以下。 2 英寸硅衬底大功率 LED 量产硅 4545 芯片，平行裸芯光强 500lm/W ，反向 漏电小于 0.1uA ，平行电压 3V ，大多数波长在 5nm 内。硅衬底做 LED 便宜， 而且物美，硅衬底大功率 LED 性能研发进展， 2012 年 6 月，2 寸硅达到 110lm/W ，2013 年 1 月达到 140lm 为/W 。 硅芯片和蓝宝石的区别，蓝宝石是透明衬底，硅衬垂直结构，白光出光均 匀，容易配二次光学。硅衬底氮化镓基 LED 直接白光芯片，荧光粉直涂白光 芯片分布集中。 下一步怎么做呢 ?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波 LED 芯片，效率会 更高、工艺会更好。 6 英寸硅衬底上氮化镓基大功率 LED 研发，有望降低成本 50% 以上。 目前已开发出 6 寸硅衬底氮化镓基 LED 的外延及先进工艺技术，光效达到 125lm/w, 解决了制约裂纹和质量的问题，保证没有漏电的问题。垂直结构 LED 芯片技术，在 350mA 下， 45 和 55mil 的硅衬底 LED 芯片分别达到 140lm/w 和 150lm/W 。 tips: 感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。仅供参阅！