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- 2021-08-17 发布于上海
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1;也是翻过来top-down,InP为基板,1.35eV,也会吸可见光,但图中为红外LED。
如何看出红外:InGaAsP:1.33-1.5eV,发光层是narrow bandgap材料,上下2个InP都是large bandgap材料,标准的双异质结,无需再衬底挖洞,让光出来。;没有翻过来,没有用到异质结构,简单的pn型,
GaP:N是发光层,GaP:简介带隙,效率不高,2.26eV,接近绿光。;边射型LED,红光结构,双异质结,发光层为narrow bandgap材料,夹在2个large bandgap材料之间,
边射型发光不会太强,大部分光被基板吸掉。(1980年以前);高亮度可见光LED;蓝绿光LED通常用2种基板:蓝宝石(有杂质时呈现蓝色,无杂质时是透明的),其bandgap很大,因此可见光不会被它吸收掉。;制造过程
结构特点(电极)
好处是什么;不用牺牲一部分发光区域,SiC基板导电。;早期红黄光LED;;None absorbing red yellow LED结构,假设是GaP基板; 电流不散开,集中在金属电极的下面,电流密度会非常高,致使光电转换效率下降(经验:物理曲线数值增大到一定程度,就会趋缓,达到饱和)。原因:可能是热效应,也可能是其它饱和效应,,使光电转换效率开始衰竭。因此,不希望在某个特定区域,电流密度太高。
如果电流无
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