模拟电子技术总结复习资料全.docx

专业. 专业.专注 学习参考 学习参考 半导体二极管及其应用电路 一 ?半导体的基础知识 1?半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5?杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体 的掺杂特性。 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是 电子）。 *N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是 空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 PN 结 PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 PN结的伏安特性 j L h/mA 1 匸向特性 L r ■ 廉向持性 Jr/MA 二.半导体二极管 *单向导电性——正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降——硅管0.6~0.7V ,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏）,二极管导通（短路）； 若V阳 阴（反偏）,二极管截止（开路）。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q Ca）二极管电路 5〕图解分析 2）等效电路法 ? 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳V阴（正偏）,二极管导通（短路）; 若V阳 阴（反偏）,二极管截止（开路）c 三种模型%（b）恫用漏棋吐%片 三种模型 % （b）恫用漏棋吐 %片 c）折线様型 ? ?微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管的特性 三.稳压二极管及其稳压电路 稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压 极管在 电路中要反向连接  三极管及其基本放大电路 三极管的结构、类型及特点 类型---分为NPN和PNP两种。 特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 -eC⑷丸我射极纽态 【讪矢如町极细怎 -e C ⑷丸我射极纽态 【讪矢如町极细怎 极纽态 三极管内各极电流的分配 - A_iio4:n+心0 斤=加+ 亠尤 *共发射极电流放大系数( - A_iio ft- 7CN —+ (1 +/# )/cbo =/ST7b+/ce^ 邛斥 式子a称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 输入特性曲线—同二极管 测试咆路 ° 曲￥输出轻杵曲线M爾化的 ° 曲￥ 输出轻杵曲线 M爾化的Hit散零效电WI *输出特性曲线 （饱和管压降,用UcES表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 饱和区---发射结和集电结均正偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO、 Ic以及B均增加 低频小信号等效模型（简化） rbe---输出端交流短路时的输入电阻， 伕--输出端交流短路时的正向电流传输比 常用B表示; 四?基本放大电路组成及其原则 VT、Vcc、Rb、Rc、Ci、C2 的作用 组成原则----能放大、不失真、能传输 五.放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 匕概念---直流电流通的回路。 匕画法---电容视为开路。 ?作用---确定静态工作点 ’直流负载线---由Vcc=l cRc+U ce确定的直线 电路参数对静态工作点的影响 1） 改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。 2） 改变Rc : Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动 3） 改变Vcc：直流负载线平移，Q点发生移动。 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路，理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V cc点V cc U ceq+ IcqR l的 直线。 截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 *消除方法---减小Rb，提高Q。 饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。 *消除方法---增大Rb、减小Rc、增大Vcc o 放大器的动态范围 Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 范围 *当(UCEQ — UCES) ( Vc