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2021年亥姆霍兹线圈实验报告
2021年亥姆霍兹线圈实验报告
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2021年亥姆霍兹线圈实验报告
亥姆霍兹线圈试验汇报
【试验原理】
1.载流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场
(1) 载流圆线圈磁场
二分之一径为R, 通以电流I圆线圈, 轴线上磁场公式为
(1-1)
式中N0为圆线圈匝数, X为轴上某一点到圆心O距离。 它磁场分布图如图1-1所表示。
(2)亥姆霍兹线圈
所谓亥姆霍兹线圈为两个相同线圈相互平行且共轴, 使线圈上通以同方向电流I, 理论计算证实: 线圈间距a等于线圈半径R时, 两线圈合磁场在轴上(两线圈圆心连线)周围较大范围内是均匀, 如图1-2所表示。
2.霍尔效应法测磁场
(1)霍尔效应法测量原理
将通有电流I导体置于磁场中, 则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电位差, 这一现象是霍尔于1879年首先发觉, 故称霍尔效应。电位差UH称为霍尔电压。
如图3-1所表示N型半导体, 若在MN两端加上电压U, 则有电流I沿X轴方向流动(有速度为V运动电子), 此时在Z轴方向加以强度为B磁场后, 运动着电子受洛伦兹力FB作用而偏移、 聚集在S平面; 同时伴随电子向S平面(下平面)偏移和聚集, 在P平面(上平面)出现等量正电荷, 结果在上下平面之间形成一个电场EH(此电场称之为霍尔电场)。这个电场反过来阻止电子继续向下偏移。当电子受到洛伦兹力和霍尔电场反作用力这二种达成平衡时, 就不能向下偏移。此时在上下平面(S、 P平面)间形成一个稳定电压UH(霍尔电压)。
(2)霍尔系数、 霍尔灵敏度、 霍尔电压
设材料长度为l, 宽为b, 厚为d, 载流子浓度为n, 载流子速度v, 则与经过材料电流I有以下关系:
I=nevbd
霍尔电压 UH=IB/ned=RHIB/d=KHIB
式中霍尔系数RH=1/ne, 单位为m3/c; 霍尔灵敏度KH=RH/d, 单位为mV/mA
由此可见, 使I为常数时, 有UH= KHIB =k0B, 经过测量霍尔电压UH, 就可计算出未知磁场强度B。
本试验使用仪器用集成霍尔元件, 已经与显示模块联调, 直接显示磁场强度。
【试验仪器】
亥姆霍兹试验仪由二部分组成。它们分别为励磁线圈架部分(见图〈一〉)和磁场量仪器部分(见图〈二〉)。
图〈二〉 4501A型亥姆霍兹线圈磁场试验仪面板
亥姆霍兹线圈架:
二个励磁线圈:
线圈有效半径 105mm
线圈匝数 500匝
二线圈中心间距 105mm
测量磁场传感器: 4501A使用霍尔元件测量磁场。
移动装置: 横向可移动距离150mm, 纵向可移动距离50mm
距离分辨力0.5mm
【试验内容】
1. 测量圆电流线圈轴线上磁场分布
接好电路。开机预热5分钟, 调零。调整磁场试验仪输出功率, 使励磁电流有效值为I=200mA,以圆电流线圈中心为坐标原点, 每隔10.0 mm测一 个Bm值, 测量过程中注意保持励磁电流值不变, 统计数据并作出磁场分布曲线图。
2 .测量亥姆霍兹线圈轴线上磁场分布
关闭电源, 把磁场试验仪两组线圈串联起来(注意极性不要接反), 接到磁场测试仪输出端钮。调整磁场测试仪输出功率, 使励磁电流有效值仍为I=200mA。以两个圆线圈轴线上中心点为坐标原点, 每隔10.0mm测一个Bm 值。统计数据并作出磁场分布曲线图。
【数据处理】
【思索讨论】
单线圈轴线上磁场分布规律怎样?亥姆霍兹线圈是怎样组成?其基础条件有哪些?它磁场分布特点又怎样?
答: 呈正态分布, 两个相同圆线圈相互平行且共轴, 通以同方向电流,
理论受骗线圈间距等于线圈半径时, 两线圈合磁场在轴线是周围是均匀, 然后逐步减小。
2.分析用霍尔效应测量磁场时, 当流过线圈中电流为零时, 显示磁场值不为零?
答: 因为有地磁场和大楼建筑等原因影响, 当亥姆霍兹线圈没有电流流过时, 显示值也不为零。
分析磁场分布对应位置测量有值误差产生原因?
答: (1)数据有波动, 没有等数据稳定再读数, (2)试验过程中触碰到导线, 影响了电流大小。
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