mos场效应管的特性.pptxVIP

1;上次课：第4章 集成电路器件工艺;第五章 MOS场效应管的特性;5.1 MOSFET的结构和工作原理;MOS管结构;MOS管－符号和标志;MOS管工作状态;MOS管特性推导;MOS管特性推导;MOS管饱和时;MOS管的IV特性曲线;阈值电压VT;阈值电压VT表达式;阈值电压VT;5.2 MOSFET的电容;Vgs0;;Vgs增加达到VT值;Vgs继续增加;MOS管电容变化曲线;MOS电容计算;VGSVT;VGSVT;5.3 MOSFET的其它特性;体效应;体效应;温度;噪声;热噪声;闪烁噪声;两点说明;5.4 MOSFET尺寸按比例缩小;恒电压缩减方案;MOSFET特征尺寸按α缩减的优点;未来的MOSFET;5.5 MOSFET的二阶效应;L的变化;L的变化;W的变化;W的变化;迁移率的退化;特征迁移率μ0;电场强度;电场强度;沟道长度的调制;沟道长度调制;沟道长度调制;短沟道效应引起的阈值电压的变化;短沟道效应;短沟道效应;狭沟道效应引起的阈值电压的变化;狭沟道效应;5.1 MOSFET的结构和工作原理;MOS管结构;MOS管特性推导;;温度;噪声;热噪声