cigs薄膜太阳能电池的制备.pptxVIP

1;内容概要;CIGS太阳能电池材料;缺点 由于CIGS薄膜材料是多元组成的，元素配比敏感，多元晶体结构复杂，与多层界面配比困难，使得材料制备精度要求 、重复性要求和稳定性要求都很高，因此材料制备的技术难度高。;CIGS薄膜太阳能电池的结构;太阳能电池工作原理;几种常见的制备CIGS薄膜的方法;c) 三步法：第一步沉底温度为350℃左右蒸发In和Ga，形成In2Se3、Ga2Se3。三族硒化物，第二步在沉底温度为560℃左右蒸发Cu，形成富Cu的CIGS薄膜;第三步沉底温度仍为560℃左右蒸发少量In和Ga，不但消除了表面的Cu2-xSe，而且表层形成了富Ga、In的硒化物，形成有序缺陷层，为过渡层的二族的Gd原子扩散掺杂提供了空位，形成强N型的浅埋结，有效地改善异质结界面特性，而且可实现表面Ga的梯度分布，修正能带失调置△Ec，减少载流子的界面复合，提高电池的开路电压;共蒸发试验室设备示意图;蒸发法的优点 金属元素在不同衬底温度下的硒气氛中反应蒸发，边蒸发边反应，不仅结晶状态好，形成柱状的大晶粒，而且金属Ga很容易掺杂，并可按照要求梯度分布，由此形成能带结构为抛物线结构，目前CIGS电池转换效率的世界记录19.5%、填充因子的最高记录81.1%都是由此方法制备的;缺点 　工业化生产不容易实现精确控制元素的蒸发量，以保证合适的元素配比以及大面积的均匀性，因此