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光纤通信芯片工艺研究 摘要：近年来，光纤通信技术的迅速发展使得超高速砷化镓集成电路的研究成为必然。用深亚微米工艺实现高速、高性能芯片设计的工艺也已成为国内外研究的热点。文章对各种工艺特点进行研究对比，以便尽可能发挥各种工艺的优点。得到关于具体芯片如何选择合适设计工艺的方案。 关键词：互补金属氧化物半导体；砷化镓；芯片工艺；光纤通信 目前，采用深亚微米互补金属氧化物半导体（Comple-mentaryMetalOxideSemiconductor，CMOS）工艺设计超高速集成电路是一个极具挑战性的研究领域，其设计的关键是通过系统和电路的优化将器件速度推进到最高。虽然国外已经有利用0.18μmCMOS工艺实现10Gb/s1∶8分接器的报道，但采用0.25μmCMOS工艺实现的1∶4分接器的最高速率仅为4.25Gb/s。要采用0.25μmCMOS工艺实现10Gb/s数据速率，必须在系统和电路设计上有所创新。同时，由于0.25μmCMOS工艺更容易得到代工支持（2002年国内已可以投片），制造费用低于0.18μmCMOS工艺，CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为0。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗，所以功耗非常低。这是CMOS集成电路一个很大的优点。所以本课题对于各种工艺的研究对比将具有产业化的前景[1]。 1国内外代工厂最新研究动态 目前，国内外有很多代工厂的产品和技术的更新速度极快，让人们不得不对最新的发展进行全面了解，进而可以与时俱进地进行研究。下文是几个比较大的代工厂相关技术的最新进展。现在国内外正致力于用标准工艺开发更多的产品，一些业界领袖公司还开发出了可完全用标准CMOS技术生产的微机电系统（Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS）产品。目前，akustica利用CMOS制造设施和MEMS代工厂生产出了基于MEMS的麦克风芯片，该公司可以使用x-fab半导体公司工厂生产0.6μmCMOS晶片。台积电早在2012年就开始了14nm工艺的研发，并于2015年投入批量生产。使用450mm（18英寸）新晶圆来制造14nm工艺芯片，而不是当时主流的300mm，这是由于更大尺寸的晶圆将有助于降低生产成本。技术的发展总是日新月异，有西班牙媒体报道称，台积电计划于5年后部署2nm技术的工厂，厂址拟定选在中国台湾新竹。即将落户在新竹的3nm研发厂房的环评也在近期得以顺利通过，一旦环评大会的结论得以确认，3nm晶圆的生产将会很快开展，预计可以顺利赶上量产时程。1.1深亚微米CMOS工艺近几年来，随着集成电路生产工艺的不断发展，CMOS集成电路的特征尺寸也随着摩尔定律不断减小。人们通常把特征尺寸－MOS管的栅长在1~0.5μm的集成电路设计技术，称为亚微米设计[2]，而将0.5~0.1μm的集成电路设计称为深亚微米设计。中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司由中芯国际控股，华为、imec，Qualcomm各占一定股比。目前以14nm先进逻辑工艺研发为主。随着深亚微米工艺的发展，CMOS制造工艺对设计的影响也越来越大。在0.18μm以前都可以忽略的工艺影响，在工艺一步步发展的情形下，制造工艺所带来的影响变成了芯片设计中不可忽视的因素。中芯国际首席执行官邱慈云表示：“经过15年的努力经营和技术积累，中芯国际成为国内规模最大的集成电路企业，有能力进行14nm技术的量产”。1.2多项目晶圆服务众所周知，集成电路在过去50年的迅猛发展中，无论是在电路规模、制造工艺，还是产业结构等方面都发生了重大变革，发展的速度更是可以用惊人来形容。多项目晶圆（MultiProjectWafer，MPW）的实质是将多个相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片，这样按面积来分担流片费用，就可以降低研发成本和风险，从而降低中小集成电路设计企业在搞研发时的门槛，降低因单次实验流片失败而造成的资源浪费。由此看来，MPW加工服务可以降低培养人才的成本和进行该领域科研工作的成本，也使得企业在科研持续性以及创新性上有着深远的意义。 2芯片设计流程 芯片设计绝不是可以一次性完成的简单工程，一般都需要经过反复的优化和修改才能满足最终的设计指标，例如芯片的速度、性能等。与一般超大规模数字集成电路采用自顶向下的设计方法不同，用于光接入网的发射和接收核心电路属于高速模拟集成电路，必须采用全定制的设计方法，而无法使用半定制设计。首先，根据系统总体要求确定系统指标，比如时间延迟、运作速率、电源电压、动态范围、误差范围、输出摆幅、功耗等。在对系统各项指标研究分析的基础上再来确定系统各