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详解 Flash 存储器闪存工作原理及具体步骤 什么是闪存 ? 了解闪存最好的方式就是从它的出生它的组成均研究的透彻 底底的。 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。 栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。 采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水， 当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具 有记忆能力。 与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。 NAND 型闪存的擦和写均 是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行 充电 (写数据 )或放电 (擦除数据 )。而 NOR 型闪存擦除数据仍是基于隧道效应 ( 电流从浮置栅极到硅基层 ) ，但在写入数据时则是采用热电子注入方式 ( 电流从 浮置栅极到源极 ) 。 场效应管工作原理 场效应晶体管 (Field Effect Transistor 缩写 (FET)) 简称场效应管。一般的晶体 管是由两种极性的载流子 ,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电 ,因此 称为双极型晶体管 ,而 FET 仅是由多数载流子参与导电 ,它与双极型相反 ,也称为 单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高 (108 ～109Omega;) 、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击 穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大 竞争者。 闪存采用 MOSFET 来存放数据 MOSFET 结构如下图