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几种新型半导体发光材料的研究进展 摘要： 概述了三种新型半导体发光材料氮化镓、碳化硅、氧化锌各自的特性 , 评述了 它们在固态照明中的使用情况 , 及其研究现状，并对其未来的发展方向做出了预测。 关键词 ： 　 LED发光二极管；发光材料； ZnO，SiC ，GaN 1 引言 在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种各样的器件， 在人们的生活中几乎无所不及，不断地改变着人们的生活方式、思维方式，提 高了人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们可用作信息传输，信 息存储，信息探测，激光与光学显示，各种控制等等。 半导体照明是一种基于 半导体发光二极管新型光源的固态照明，是 21 世纪最具发展前景的高技术领域 之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。固态照明 是一种新型的照明技术，它具有电光转换效率高、体积小、寿命长、安全低电 压、节能、环保等优点。发展固态照明产业可以大规模节约能源，对有效地保 护环境，有利于实现我国的可持续发展具有重大的战略意义。从长远来看，新 材料的开发是重中之重。发光材料因其优越的物理性能、必需的重要应用及远 大的发展前景而在材料行业中备受关注。 本文综述了近几年来对 ZnO，SiC，GaN三种新型半导体发光材料的研究进 展。 2 几种新型半导体发光材料的特征及发展现状 在半导体的发展历史上， 1990 年代之前，作为第一代的半导体材料以硅 （包括锗）材料为主元素半导体占统治地位 . 但随着信息时代的来临，以砷化镓 （GaAs）为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性 . 而以氮化物 （包括SiC、ZnO等宽禁带半导体）为第三代半导体材料，由于其优越的发光特 征正成为最重要的半导体材料之一 . 以下对几种很有发展前景的新型发光材料做 简要介绍 . 2.1 氮化镓 (GaN) 2.1.1 氮化镓的一般特征 GaN 是一种宽禁带半导体 (Eg=3.4 ev), 自由激子束缚能为 25mev,具有宽的 直接带隙, Ⅲ族氮化物半导体 InN、GaN 和A lN 的能带都是直接跃迁型 , 在性 质上相互接近 , 它们的三元合金的带隙可以从 1.9eV连续变化到 6.2eV， 这相应 于覆盖光谱中整个可见光及远紫外光范围 .实际上还没有一种其他材料体系具有 如此宽的和连续可调的直接带隙 . GaN是优良的光电子材料，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和 红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示 ,强的原子键 , 高的热导率和强的抗辐射 能力，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级 .GaN具有较高的电离度 , 在Ⅲ-V 的化合物中是最高的 (0.5 或0.43). 在大气压下 ,GaN一般是六方纤锌矿结构 . 它的 一个原胞中有 4个原子 , 原子体积大约为 GaAS的一半 .GaN是极稳定的化合物，又 是坚硬的高熔点材料，熔点约为 1700?C.文献 ［1］列出了纤锌矿 GaN和闪锌矿 GaN的特性比较 : 纤锌矿 GaN 的特性 (W) 闪锌矿 GaN 的特性(Z) 带隙能量 Eg(300k)=3.39eVEg(6k~6k)=3. 50eV Eg(300k)=330 ±0.02eVEg(300k)=3