全面腐蚀与局部腐蚀.ppt

ppt课件 2．裂纹扩展（裂尖定向溶解阶段）： 裂纹形成后，特殊的几何条件构成了一个闭塞区。裂纹内部形成了“闭塞电池”，并进而在裂纹尖端和裂纹壁之间形成了“活化－钝化腐蚀电池”，创造了裂尖快速溶解并自催化的电化学条件。 应力和材料的不均匀性为快速溶解提供了择优腐蚀的途径。预存活性途径和应变产生的活性途径导致沿晶和穿晶SCC裂纹扩展。 3．断裂（纯机械断裂阶段）： 在SCC裂纹扩展到临界尺寸时，裂纹失稳而导致纯机械断裂。 SCC机理2：氢致开裂机理 防止SCC的措施 选材、消除应力和减轻腐蚀 选材： 根据材料的具体使用环境，尽量避免使用对SCC敏感的材料； 消除应力： 改进结构设计，减小应力集中； 在部件的加工、制造和装配过程中尽量避免产生较大的残余 应力； 可通过热处理、表面喷丸等方法消除残余应力。 防止SCC的措施 减轻腐蚀: 改善环境，降低环境的SCC敏感性： 控制或降低有害的成分； 腐蚀介质中加入缓蚀剂； 改变电位、促进成膜； 电化学保护： 可以通过控制电位进行阴极保护或阳极保护防止SCC的发生。 涂层： 使用有机涂层可将材料表面与环境分开，或使用对环境不敏感的金属作为敏感材料的镀层，都可减少材料SCC敏感性。 氢致开裂 氢致开裂 氢致开裂的定义： （Hydrogen Induced Cracking， HIC） 金属中氢的存在或氢与金属交互作用引起的金属开裂的现象。 金属中氢的行为 氢的来源和氢的传输 1、氢的来源： 根据来源不同，金属中的氢可分为内氢和外氢 内氢： 材料在使用前内部就已经存在的氢，主要是在冶炼、热处理、酸洗、电镀、焊接等过程中吸收的氢 外氢（也称为环境氢）： 材料在使用过程中，与含氢介质接触或进行阴极析氢反应吸收的氢。 氢在金属中的溶解度 西沃茨定律： 在恒定的温度下，处于平衡状态时，氢的浓度与氢压的平方根成正比。 氢陷阱 固溶在金属中的氢原子占据晶体点阵的最大间隙位置，如bcc金属的四面体间隙和fcc金属的八面体间隙。 少量氢处于晶格间隙外，绝大部分氢处于各种缺陷位置，如晶界、共格沉淀、非共格沉淀、位错、空位、孔隙等。 可供氢存在的缺陷被称为氢陷阱。 处于晶格间隙位置的氢原子（浓度为CL）可以被陷阱捕获，而陷阱中的氢原子（浓度为CT）也可能跑出陷阱进入晶格间隙位置。 在平衡时： 平衡常数K： Eb为陷阱结合能。 如Eb较小（≤0.6eV），氢容易从陷阱中跑出来，这种陷阱为可逆陷阱。处于可逆陷阱中的氢易于参与氢的扩散及氢致开裂过程。 如果Eb较大（0.6eV），氢陷阱中的氢难以跑出，这类陷阱为不可逆陷阱。处于不可逆陷阱中的氢难于参与氢的扩散及氢致开裂过程。 可逆陷阱和不可逆陷阱在外部条件（如温度）变化时可能发生转变。 2、氢的传输 ： 发生氢致开裂的金属的平均氢含量一般都很低。而发生氢致开裂需要较高的氢浓度，因此当发生氢致开裂时，金属中的氢出现了局部富集，而这种富集是通过氢在金属中的传输来实现的。 氢的传输有扩散和位错迁移两种方式。 扩散： 金属中存在氢的浓度梯度或应力梯度时就会导致氢在金属中的扩散。 当金属中存在氢的浓度梯度时，氢将从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。 存在应力梯度时，氢由应力低的地方向应力高的地方扩散，最终可使高应力区的氢浓度远高于整体的平均氢浓度。 在常温下，由于氢陷阱的存在，对氢在金属中的扩散行为影响较大；高温下，影响较小。 位错迁移： 位错是一种特殊的氢陷阱，位错不仅能将氢原子捕获在其周围，形成Cottrell气团，而且由于氢在金属中扩散快，在位错运动时氢气团能够跟上位错一起运动，即位错能够迁移氢。 当运动的位错遇到与氢结合能更大的不可逆陷阱时，氢将被“倾倒”在这些陷阱处。 氢致开裂的分类 氢腐蚀：由于氢在高温高压下与金属中第二相（夹杂物或合金添加物）发生化学反应，生成高压气体（如CH4、SiH4）引起材料脱碳、内裂纹和鼓泡的现象。 氢鼓泡：过饱和的氢原子在缺陷位置（如夹杂）析出，形成氢分子，在局部造成很高的氢压，引起表面鼓泡或内部裂纹的现象。 氢化物型氢脆：氢与IVB和VB族金属有较大的亲和力，含氢量较高时容易生产脆性的氢化物相，并在随后受力时成为裂纹源，引起脆断。 氢致开裂的分类 应力诱发氢化物型氢脆： 在应力作用下氢向应力