03微电子工艺基础污染控制和芯片制造基本工艺.pptxVIP

第3章 污染控制、芯片制造基 本工艺概述第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述本章（3学时）目标：1、列出至少三种在芯片厂中尽量减少人员污染的技术2、掌握晶片的清洗技术3、重点理解一号和二号溶液的使用方法4、鉴别和解释四种基本的芯片生产工艺第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述一、芯片制造中的污染源二、洁净室的建设三、硅片清洗四、芯片制造基本工艺概述五、工艺良品率第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物2、污染来源3、空气的净化第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物污染物可归纳为以下四类, 分别是： a 微粒 b 金属离子c 化学物质d 细菌 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物 a 微粒 由经验所得出的法则是微粒的大小要小于器件上最小的特征图形尺寸的1/10倍。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物 b 金属离子* 少量的掺杂物可实现我们希望的效果,但遗憾的是在晶片中出现的极少量的具有电性的污染物也会改变器件的典型特征，改变它的工作表现和可靠性参数。 可以引起上述问题的污染物称为可移动离子污染物 （MICs）。它们是在材料中以离子形态存在的金属离子。而且，这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动性。钠是在未经处理的化学品中最常见的可移动离子污染物，同时也是硅中移动性最强的物质。因此，对钠的控制成为硅片生产的首要目标。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物 C 化学品 在半导体工艺领域第三大主要的污染物是不需要的化学物质。工艺过程中所用的化学品和水可能会受到对芯片工艺产生影响的痕量物质的污染。它们将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，.器件上生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过程。氯就是这样一种污染物，它在工艺过程中用到的化学品中的含量受到严格的控制。 细菌是第四类的主要污染物。细菌是在水的系统中或不定期清洗的表面生成的有机物。细菌一旦在器件上形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物 d 细菌第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物2、污染来源3、空气的净化（1）空气 （2）厂务设备 （3）洁净室工作人员 （4）工艺使用水 （5）工艺化学溶液 （6）工艺化学气体 （7）静电 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源2、污染来源主要的污染源有：第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源一、芯片制造中的污染源1、半导体器件的污染物2、污染来源3、空气的净化美国联邦标准209E 规定空气质量由区域中空气级别数来表示。标准按两种方法设定，一是颗粒大小，二是颗粒密度。 区域中空气级别数是指在一立方英尺中所含直径为 0.5 微米或更大的颗粒总数。联邦标准209E规定最小洁净度可到一级。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源3、空气的净化（1）空气级别表示 一般城市的空气中通常包含烟、雾、气。每立方英尺有多达五百万个颗粒，所以是五百万级。第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源3、空气的净化（1）空气级别表示第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源3、空气的净化（1）空气级别表示 因为 209E 以 0.5 微米的颗粒定义洁净度，而成功的晶圆加工工艺要求更严格的控制，所以工程技术人员工程师们致力于减少10级和1级环境中0.3 微米颗粒的数量。Semetech/Jessi 建议： 64 兆内存加工车间为 0.1 级，256 兆内存为 0.01 级。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源3、空气的净化（1）空气级别表示洁净工作台 隧道型设计 完全洁净室 微局部环境 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源3、空气的净化（1）空气的净化方法 洁净室的设计是要使生产免污染晶圆的能力更完整化。设计时的主要思路是保持加工车间中空气的洁净。共有四种不同的洁净室设计方法：第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述一、芯片制造中的污染源二、洁净室的建设三、硅片清洗四、芯片制造概述五、工艺良品率第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述二、洁净室的建设1、洁净室要素2、人员产生的污染（**）3、工艺用水（**）4、工艺化学品5、化学气体6、设备7、洁净室的物质和供给第3