06《微电子学概论》B03半导体及其基本特性.pptxVIP

半导体及其基本特性？什么是半导体固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1从导电特性和机制来分：不同电阻特性不同输运机制1. 半导体的结构原子结合形式：共价键形成的晶体结构： 构 成 一 个正四面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构半导体的结合和晶体结构金刚石结构 半导体有元素半导体，如：Si、Ge 化合物半导体，如：GaAs、InP、ZnS2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子本征半导体：n=p=ni电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙)量子态和能级固体的能带结构 原子能级 能带 反 成 键 态 原 子 能 级 成 键 态共价键固体中价电子的量子态和能级共价键固体：成键态、反键态导 带Eg价 带半导体的能带结构价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带：导带底与价带顶之间能带带隙：导带底与价带顶之间的能量差电子和空穴的有效质量m*半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用BAs4.半导体的掺杂 受 主 掺 杂 施 主 掺 杂施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子，并成为带正电的离子。如 Si中掺的P 和As受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如 Si中掺的B施主和受主浓度：ND、NA杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态受主能级施主能级5. 本征载流子本征半导体：没有掺杂的半导体本征载流子：本征半导体中的载流子 电 子 浓 度 n, 空 穴 浓 度 p载流子浓度本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关6. 非本征半导体的载流子 热平衡时:在非本征情形:N型半导体：n大于pP型半导体：p大于n多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子7. 电中性条件: 正负电荷之和为0p + Nd – n – Na = 0施主和受主可以相互补偿p = n + Na – Ndn = p + Nd – Nan型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Ndp型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na不成立公式8. 过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消失的过程电子空穴对：电子和空穴成对产生或复合9. 载流子的输运 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动漂移电流 引 入 迁 移 率 的 概 念单位电场作用下载流子获得平均速度反映了载流子在电场作用下输运能力迁移率? 影 响 迁 移 率 的 因 素电阻率?影响迁移率的因素：有效质量平均弛豫时间（散射〕体现在：温度和掺杂浓度半导体中载流子的散射机制： 晶格散射（ 热 运 动 引 起） 电离杂质散射载流子的扩散运动：载流子在化学势作用下运动扩散电流电子扩散电流：空穴扩散电流：爱因斯坦关系:过剩载流子的扩散和复合过剩载流子的扩散过程扩散长度Ln和Lp: L=(D?)1/2过剩载流子的复合机制： 直接复合、间接复合、 表面复合、俄歇复合描述半导体器件工作的基本方程 泊松方程 高斯定律 描述半导体中静电势的变化规律静电势由本征费米能级Ei的变化决定能带向下弯，静电势增加方程的形式1方程的形式2可动的 －载流子（n,p)电荷密度?(x)固定的 －电离的施主、受主特例：均匀Si中，无外加偏压时，方程RHS＝0，静电势为常数 电流连续方程 可动载流子的守恒电子：热平衡时：产生率＝复合率np=ni2空穴漂移项扩散项 电流密度方程 载流子的输运方程在漂移－扩散模型中方程形式1爱因斯坦关系波耳兹曼关系方程形式2电子和空穴的准费米势：费米势重 点半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子能带、导带、价带、禁带掺杂、施主、受主输运、漂移、扩散、产生、复合作 业载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。第一次作业列举