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材料电阻率的测量（四探针法） 一：实验目的 1：熟悉四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法。 2：了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。 二：实验仪器 1:实验仪器： RTS-5 型双电测四探针测试仪 RTS-5 型双电测四探针测试仪测量原理通过采用四探针双位组合测量技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上。利用电流探针和电压探针的组合变换，进行两次电测量，其最后计算结果能自动 消除由样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素所引起的，对测量结果的不利影响。因而在测试过程中，在满足基本条件下可以不考虑探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置等因素。这种动态地对以上不利因素的自动修正，显著降低了其对测试结果的影响，从而提高了测量结果的准确度。其优点是目前广泛使用的常规四探针测量方法根本办不到的。 2:技 术 指 标 A:测量范围 电阻率：0.001～200Ω.cm(可扩展)； 方块电阻：0.01～2000/□(可扩展)； 电导率：0.005～1000s/cm； 适合样品厚度：≤3.00mm； 可测晶片直径：140mmX150mm (配 S-2A 型测试台)； 200mmX200mm (配 S-2B 型测试台)； 400mmX500mm (配 S-2C 型测试台)； B:恒流源 电流量程分为 0.1mA、1mA、10mA、100mA 四档，各档电流连续可调； C:数字电压表 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV； 输入阻抗：＞1000MΩ； 精度：±0.1%； 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； D:四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻: ≥1000MΩ； 机械游移率: ≤0.3％； 探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿(总力)； E:四探针探头应用参数 见探头附带的合格证，合格证含三参数项： C：探针系数； F：探针间距修正因子； S：探针平均间距； F: 模拟电阻测量相对误差（按 JJG508- - 87 进行） 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤0.3％±１字； G:整机测量最大相对误差 （用硅标样片:0.01-180Ω.cm 测试）≤±4%； H:整机测量标准不确定度 ≤4％； I:外型尺寸（大约） 电气主机：370mm×320mm×100mm； S-2A 型测试台：190mm×140mm×260mm； S-2B 型测试台：300mm×210mm×400mm； S-2C 型测试台：500mm×400mm×350mm； J:仪器重量（大约） 电气主机：3.5kg； S-2A 型测试台：2kg； S-2B 型测试台：2.5kg； S-2C 型测试台：4kg； ； K:标准使用环境 温度:：23±2℃； 相对湿度：≤65％； 无高频干扰； 无强光直射； 三:实验原理 1：电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一 2:四探针法是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用， 其主要优先在于设备简单，操作方便，准确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。 双电测组合四探针法采用如下图两种组合的测量方法：（图 1） 将直线四探针垂直压在被测样品表面上分别进行 I14V 23 和合测量，测量过程如下： I13V 24 组 进行组合I14V 23 测量： 电流Ｉ从１针→４针，从２、３针测得电压V23+； 电流换向，Ｉ从４针→１针，从２、３针测得电压V23-； 计算正反向测量平均值：V23＝(V23+ ＋ V23- )／2； 进行I13V 24 组合测量： 电流Ｉ从１针→３针，从２、４针测得电压 V24+； 电流换向，Ｉ从３针→１针，从２、４针测得电压 V24-； 计算正反向测量平均值：V24＝(V24+ ＋ V24- )／2； 3. 计算（V23／V24）值； （以上 V23、V24 均以 mV 为单位） ； 按以下两公式计算几何修正因子Ｋ： 若 1.18＜（V23 ／V24）≤1.38 时； K＝－14.696＋25.173(V23／V24)－ 7.872(V23／V24)2 ； …(1) 若 1.10≤（V23／V24）≤1.18 时； K＝－15.85＋26.15(V23／V24)－ 7.872(V23／V24)2 ； …(2) 计算方块电阻 R□ ： Ｒ□ ＝Ｋ·(V23／Ｉ) (单位：Ω／□) ； …(3) 其中：Ｉ为测试电流，单位：mA； V23 为从２、３针测得电压 V23+和 V23-的平均值，单位：mV； 若已知样品厚度W，可按下式计算样品体电阻率ρ： ρ＝R□·W·F(W/S)／10 (单位：Ω.cm)； …(4) 其中：Ｒ□为方块电阻值，单位：Ω／□； W 为样片厚度，单位