常用半导体器件.pptVIP

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2021/8/23 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 * 可修改 欢迎下载 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 3)定义: 共基直流电流放大系数 4)定义: 共基交流电流放大系数 容易证明: 或 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 三、晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 三、晶体管的共射特性曲线 1.输出特性曲线 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 1.输出特性曲线 1).截止区 2).放大区 3).饱和区 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 四、晶体管的主要参数 1.直流参数 1)共射直流电流放大系数 2)共基直流电流放大系数 3)极间反向电流 集-基极反向截止电流ICBO 集-射极反向截止电流ICEO 2.交流参数 1)共射交流电流放大系数β 2)共基交流电流放大系数 3)特征频率fF 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 3.极限参数 1)最大集电极耗散功率 PCM 2)最大集电极电流 ICM 3)极间反向击穿电压 集-基极反向击穿电压 UCBO 集-射极反向击穿电压 UCEO 射-基极反向击穿电压 UEBO 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-3.双极型晶体管 五、温度对晶体管特性及参数的影响 1.温度对ICBO的影响: 温度每升高100C, ICBO增加约一倍。 2.温度对输入特性的影响 3.温度对输出特性的影响 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 一、类型及符号 N沟道 1.结型 P沟道 N沟道 增强型 P沟道 2.绝缘珊型 N沟道 耗尽型 P沟道 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 二、 特性曲线与电流方程(NJFET) 1.漏极特性曲线 1)可变电阻区:预夹断前(UDSUGS-UGS(off)) 特点: a) iD~UDS 线性 b) UDS→RDS (RDS=UDS/ID) 2)恒流区:预夹断后(UDSUGS-UGS(off)) 特点: a) b) UDS↑→ID 几乎不变(略增) 3)夹断区:夹断后(UGSUGS(off)) 特点: iD=0 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 2.转移特性曲线 3.电流方程 ( UGS(off)uGS0 ) ( UDSUGS-UGS(off) ) 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 4.NEMOSFET 特性曲线与电流方程 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 三、场效应管的主要参数 1.直流参数 1)开启电压UGS(th) 2.交流参数 2)夹断电压UGS(0ff) 3)饱和漏极电流IDSS 4)直流输入电阻RGS(DC) 1)低频跨导gm 2)极间电容 Cgs、Cgd、Cds 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 3.极限参数 3)最大耗散功率 PDM 1)最大漏极电流 IDM 2)击穿电压 漏-源击穿电压U(BR)DS 珊-源击穿电压 U(BR)GS 2021/8/23 欢迎下载 可修改 §1-4.场效应管 四、FET与BJT的比较 BJT FET B E C G S D 电流控电流源 电压控电流源 两种载流子导电 多子导电 NF↓ NF↑ 2021/8/23 欢迎下载 可修改 1、只要朝着一个方向奋斗,一切都会变得得心应手。20.6.16

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