半导体名词解释3.docxVIP

素材 PAGE 页码页码/NUMPAGES 总页数总页数 文档仅供参考 1雪崩击穿： 加外部反向电压耗尽区中的载流子受到该区电场加速而不断增加能量，当能量到达足够大时，载流子与晶格碰撞时产生电子-空穴对。新的电子-空穴对又在电场作用下加速，与原子碰撞时再产生第三代电子-空穴对。如此继续，产生大量导电载流子，电流迅速上升。 2 影响雪崩击穿电压的因素: 〔1〕：杂质浓度及杂质分布对击穿电压的影响；〔2〕：外延层厚度对击穿电压的影响；〔3〕：棱角电场对雪崩击穿电压的影响：〔4〕：外表状况及工艺因素对反向击穿电压的影响；(5)：温度对雪崩击穿电压的影响。 3穿通击穿： 假设在发生雪崩击穿之前，集