5.电子元件封装技术发展.pptVIP

電子元器件封 裝技朮的發展;目 錄;1.1 片式元件的发展 1.2 積成電路發展趨勢;在電子產品的各種元件當中，可以區分為兩類 　　主動元件（active component）能夠執行資料運算、處理的元件，包括各式各樣IC。 　　被動元件（passive component）有些電子元件也有電流訊號通過，不過，這件元件並不會對通過的電流訊號進行任何運算，只是將其訊號強度放大或是單純地讓電流訊號通過，最常見的就是電阻、電容等。;1.??????SMC――片式元件向小、薄型发展﹕ 其尺寸从1206（3.2mm＊1.6mm） 向0805（2.0mm＊1.25mm） －0603（1.6mm＊0.8mm） －0402（1.0mm＊0.5mm） －0201（0.6mm＊0.3mm） －01005(0.4mmx0.2mm)发展 ;電子零件尺寸動向;2.SMD――表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展﹕ 引脚中心距从1.27向0.635mm－0.5mm－0.4mm及0.3mm发展。 3.　出现了新的封装形式BGA（球栅阵列，ball grid arrag）、CSP（UBGA）和FILP CHIP（倒装芯片）;QFP;(1) IC製程技術趨勢:互補性金氧半導體 (2) IC密度趨勢:記憶體增加率1.5/year (3) IC晶片尺寸趨勢:晶片面積約每年以13%成長,微處理 器增加率1.35 /year (4) IC效能趨勢:工作頻率迅速成長，但須有適當的傳輸 線。 (5) IC操作電壓趨勢:操作電壓5V 　　3V or 3.5V預　 估可降至2.5V 1.5V (6) IC設計週期:從500000個/設計 30000個/設計 ;IC的尺寸與推展﹕ SSI:一顆IC含10個電晶體 MSI:指一顆IC含102個電晶體 LSI:指一顆IC含104個電晶體 VLSI:指一顆IC含106個電晶體 ULSI:指一顆IC含108個電晶體 GSI:指一顆IC含109個電晶體;以電子元件尺寸為例,材料製程技術演進 微米技術(~10-6m):SSI, MSI, LSI 次微米技術(10-6m):VLSI, 微機電 奈米技術(10-6m) : 奈米元件, 微機電;2.1 第一階段 2.2 第二階段 2.3 第三階段 2.4 第四階段; 為80年代以前的通孔安裝(THD)時代﹐通孔安裝時代以TO型封裝和雙列直插封裝為代表﹐IC的功能數不高﹐引腳數較少(小于64)﹐這類封裝的引線間距固定﹐封裝可由人工用手插入PCB的通孔中; 第二階段是80年代的表面安裝器件時代﹐表面安裝器件時代 的代表是小外形封裝(SOP)和扁平封裝(QFP).大大提高管腳數和組裝密度﹐是封裝技朮的一次革命﹐引線間距為1.0,0.8,0.65,0.5,0.4mm﹐這一階段也是金屬引線塑料封裝的黃金時代;　　第三階段是90年代的焊球陣列封裝(BGA)/芯片尺寸封裝(CSP)時代﹐BGA封裝加寬了引線節距并采用了底部安裝引線方式﹐日本將BGA的概念用于CSP﹐開發了引線節距更小的CSP封裝﹐進一步減少了產品的尺寸和重量。; 21世紀的3D疊層封裝時代﹐代表性的產品將是系統級封裝(SIP: system in a package)﹐從原來的封裝元件概念演變成封裝系統。它是將多個芯片和可能的無源元件集成在同一封裝內﹐形成具有系統功能的模塊﹐從而可以實現較高的性能密度﹑更高的集成度﹑更低的成本和更大的靈活性。;3.1 封裝新材料 3.2 先進的電子元器件封裝 3.3 零件的相關資訊; 電子元件封裝的最新進展主要體現在新材料和新技朮兩個方面;2. 高導熱率氮化鋁陶瓷材料 它是90年代才發展起來的一種新型高熱導率電子封裝材料。其熱導率高﹑熱膨脹系數與硅相匹配﹑介電常數低﹑高絕緣等優點﹐目前已經在微波功率器件﹑毫米波封裝﹑高溫電子封裝等領域獲得應用。 3.新型的AISIC金屬基復合材料 AISIC適用于高性能及高級熱處理的封裝設計。可以減化尺寸處理﹐避免了繁雜的后加工處理。具有很高的熱導率﹑與半導體芯片相匹配的熱膨脹系數以及非常低的密度。;BGA;2.倒裝片封裝(FLIIP CHIP) 倒裝片技朮是一種先進的﹑非常有前途的集成電路封裝技朮﹐它分為封裝倒裝片(FCIP)和板上倒裝片(FCOB)兩種。它是利用倒裝技朮將芯片直接裝入一個封裝體內﹐倒裝片封裝可以是單芯片也可以是多芯片形式。它的突出優點是體積小和重量輕.;3.多芯片模塊(MCM) 　MCM是90年代興起的一種混合微電子組裝技朮﹐它是在高密度多層布線基板上﹐將