半导体制造工艺_09离子注入.pptxVIP

Distribution according to error functionDistribution accordingto Gaussian function有关扩散方面的主要内容费克第二定律的运用和特殊解特征扩散长度的物理含义非本征扩散常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用常用扩散掺杂方法常用扩散掺杂层的质量测量第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量实际工艺中二步扩散第二步 为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化 （称为主扩散或再分布） 控制扩散深度和表面浓度什么是离子注入离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入的基本过程将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶）以改变这种材料表层的物理或化学性质离子注入特点可通过精确控制掺杂剂量（1011-1018 cm-2）和能量（1-400 keV）来达到各种杂质浓度分布与注入浓度平面上杂质掺杂分布非常均匀（1% variation across an 8’’ wafer）表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度注入元素可以非常纯，杂质单一性可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质；可防止玷污，自由度大离子注