选修三专题：晶胞计算.docxVIP

好资料惟荐 晶胞计算 晶胞计算是晶体考查的重要知识点之一，也是考查学生分析问题r解决问题能力的较好素 材。晶体结构的计算常常涉及如下数据：晶体密度、Nr、M、晶体体积、微粒间距离、微粒 半径、夹角等,密度的表达式往往是列等式的依据。解决这类题，一是要掌握晶体“均摊法“ 的原理，二是要有扎实的立体几何知识，三是要熟悉常见晶体的结构特征，并能融会贯通， 举一反三。 有关晶胞各物理量的关系： 1、品胞质量=晶胞占有的微粒的质量=晶胞占有的微粒数x 。2、空间利用率= o 3、金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆积中的几组公式（设棱长为 *）（1）面对角线长=已。（2）体对角线长=a. （3）体心立方堆积4r=已匸为原子半径）。（4） 面心立方堆积4r= a（r为原子半径）。对于立方晶胞，可简化成下面的公式进行各物理量的 计算：a3xpx/vA=^M, a表示晶胞的棱长，p表示密度，心表示阿伏加德罗常数的值，介 表示1 mol晶胞中所含晶体的物质的量，M表示摩尔质量.a3xpx/VA表示1 mol晶胞的质 量。 1、[2012全国1] （6） ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料 等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如下图所示，其晶胞边长 为540. Opm.密度为 ?式并计算〉，a位置S?篙于与 b位置Z/+离子之间的距离pm （列示表示〕 4 / 27° 或旦乙或门5的 Vl-cosl09°28, . 109°28r sin 2 2、[2013全国1] （6〉在硅酸盐中.SiO4- 4四面体（如下图（a）〉通过共用顶角氧离子 可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图（b＞为一种无限长单琏结构的多 第1豆腐9页 硅酸根，其中Si原子的杂化形式为，Si与0的原子数之比为，化学式为。3、[2014全国 硅酸根，其中Si原子的杂化形式为，Si与0的原子数之比为，化学式为。 3、[2014全国1] (4)铝单质为面心立方晶体，其晶胞参数a= 0. 405nm,晶胞中铝原子的配位数为。列式表示铝单质的密度 gcm-3(不必计算岀结果) 12； 4x27 Na ?(4.05x10^)j 4、[2015全国1] (5)碳有多种同素异形体，其中石墨烯与金刚石的晶体结构如图所示: 八 原子坐标参数A为 石墨烯晶体 金刚石晶体 在石墨烯晶体中，每个C原子连接个六元环，每个六元环占有个C原子。 在金刚石晶体中，C原子所连接的最小环也为六元环，每个C原子连接个六元 环，六元环中最多有个C原子在同一平面。(5)①3 2②12 4 5、[2016全国1] (6)晶胞有两个基本要素：①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相 对位置，下图为Ge单晶的晶胞，其中 则D原于的坐(0,0,0)； B 为(2, 0, 1)； 则D原于的坐 2 2 2 标参数为 。 ②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。 己知Ge单晶的晶胞参数沪565.76 pm?其密度为 g-cm-3〈列出计算式即可〉。(6)①(丄，2,、②一 xio\ 4 4 4 6.02x565.76^ 6、【20仃全国1] (4) KO晶体是一种性能良好的非线性光 学材料，具有钙钛矿型的立方第构.边长为a=0.446 nm,晶 胞中K、I、O分别处于顶角、体心、面心位置，如图所示。K 与O间的最短距离为 nm,与K紧邻的O个数为 (4) 0.315 12 7、[2013全国2】(3) A〔F人B CK)和D (Ni)三种元素责成的一个化合物的晶胞如图 所示。 该化合物的化学式为 ； D的配位数为 列式计算该晶体的密度 g cm 3o (3)①K2NiF4 6 ② =3.4 【2014 全国 2] (4) e CCu)和 c (O)形成 的一种离子化合物的晶体结构如图，则e离子 的电荷为。 9、[2015全国2] (5) A (O〉和B (Na〉能够形成化合物 F,其晶胞结构如图所示，晶胞参数，a=0.566nm, F的化学 式为：晶胞中A原子的配位数为；列式计算晶体F的密度 (g.cm ①。 o A O B e D o A O B e D 10s ［2016全国2】（（4）某採白铜合金的立方晶胞结构如图所 ①晶胞中铜原于与摞原于的数量比为 ②若合金的密度为c/g/E晶胞参数沪 nm.①釘②応盂八诃 11s ［2017全国2】（〔4） R的晶体密度为dg?crrr3,其立方晶胞参数为Q nm.晶胞中含 有y个［（N5）6（H3O）3（NH4）4CI］单元，该单元的相对质量为则y的计算表达式为 竺玄（或也抵如亠） M M 12、［2016全国3】（5） GaAs的熔点为1238? 密度为pg cm 巧其晶胞结构如图所示。Ga和As的摩尔质量分别为/WGa g mol-1 和原子半径分别为俭pm和仏