第三代半导体材料制造工艺.pptVIP

连通式双反应室MOCVD系统实物图 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 * 3.3 第三代半导体材料（宽禁带半导体材料） Si为代表的，第一代半导体材料 GaAs为代表的，第二代半导体材料 SiC及GaN为代表的宽禁带材料，第三代半导体材料。包括材料本身和器件开发，仍在发展中。 半导体材料的发展 随着半导体材料的单晶制备及外延技术的发展和突破， 并基于以下几方面原因，宽带隙半导体材料应运而生。 耐高温、高热导、高耐压特性，发展高温（300℃）、高功率和低损耗电子器件。 高亮度发光管，从而使人类可以获得高重复性、长寿命的全色包括白光光源， 短波长激光器，束斑尺寸小，可实现高密度数据光存储，以及及紫外探测器。 近年来，随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是有些特殊场合要求半导体适应在高温、强辐射和大功率等环境下工作，传统的一和二代半导体无能为力。于是人们将目光投向一些被称为第三代宽带隙半导体材料的研究，如金刚石、SiC、GaN和AlN 等。这些材料的禁带宽度在 2 eV 以上，拥有一系列优异的物理和化学性能。 主要半导体材料的基本特性 物理量 Si Ge GaAs GaN AlN 3C-SiC 6H-SiC 金刚石 带隙宽度(eV) 1.12 0.67 1.43 3.37 6.2 2.36 3.0 5.5 能带类型 间接 间接 直接 直接 直接 间接 间接 击穿场强(MV/cm) 0.3 0.1 0.06 5 1.2-1.4 1 3-5 10 电子迁移率 (cm2/V s) 1350 3900 8500 1200 300 800 400 2200 空穴迁移率 (cm2/V s) 480 1900 400 200 14 320 90 1800 热导率(W/cm K) 1.3 0.58 0.55 2.0 2.85 3.6 4.9 6-20 饱和电子漂移速度(107 cm /s) 1 2 2.5 1.4 2.5 2.5 晶格常数 (?) 5.43 5.66 5.65 3.189 5.186 3.112 4.982 4.3596 3.0806 15.1173 3.567 键结合能（eV） ~5 SiC 材料及器件的一些具体应用 高频功率器件：相控阵雷达、通信系统、固相 UHF 广播系统、高频功率供应、电子干扰(干扰与威胁)和预警系统； 大功率器件：用于功率产生系统的功率电子、电涌抑制器、电动汽车的功率调节、电子调节器（传动装置）、固相电灯镇流器； 高温器件：喷气发动机传感器、传动装置及控制电子、航天飞机功率调节电子及传感器、深井钻探用信号发射器、工业过程测试及控制仪器、无干扰电子点火装置、汽车发动机传感器； 作为生长 GaN、AlN、金刚石等的衬底。 SiC 的结构 四面体单元，每种原子被四个异种原子所包围 原子间通过定向的强四面体 SP3 键结合在一起，并有一定程度的极化 SP3 杂化轨道 四面体单元 SiC 的结构 Sic 具有很强的离子共价键，离子性对键合的贡献约占12%,决定了它是一种结合稳定的结构。 SiC 具有很高的德拜温度，达到1200-1430 K,决定了该材料对于各种外界作用的稳定性，在力学、化学方面有优越的技术特性。 SiC 是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型体 SiC 的结构 Si、C 双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，从而形成了庞大的SiC同质多型族，目前已知的就有200多种。 SiC同质多型族中最重要的，也是目前比较成熟的、人们研究最多的是立方密排的 3C-SiC 和六方密排的 2H、4H 和 6H-SiC。 SiC 的结构 SiC结构示意图 a) 3C-SiC； b) 2H-SiC； c) 4H-SiC； d) 6H-SiC。 a) ABCABC…, 3C-SiC b) ABAB…, 2H-SiC； c) ABCBABCB…, 4H-SiC d) ABCACB…, 6H-SiC SiC 优良的物理和化学性能 力学性质: 高硬度(克氏硬度为3000 kg/mm2)，可以切割红宝石；高耐磨性，仅次于金刚石。 热学性质: 热导率超过金属铜，是 Si 的3倍，是 GaAs 的 8-10 倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。SiC 的热稳定性较高，在常压下不可能熔化 SiC。 化学性质: 耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。SiC 表面易氧化生成 SiO2 薄层，能防止其进一步氧化，在高于1700 oC 时，这层 SiO2 熔化并迅速发生氧化反应。SiC能溶解于熔融的氧化剂物质。 电学性质: 4H-SiC 和 6H-SiC 的带隙约是 Si 的三倍，是 GaAs