模拟ic实验报告mos管基本特性测试等.doc

实验一 MOS管基本特性测试 1.电路原理图： 2.测试mos管的输出特性： 测量的是一个noms的输出特性，noms的参数为w=1.5um,L=600nm. 横坐标为Vdd从0—12V，纵坐标为漏极电流ID; 3.mos管的转移特性曲线： 横坐标表示输入电压Vgs从0-5V变化， 纵坐标表示的是漏极电流ID 从转移特性曲线图可知，mos管的导通电压Vth 4.改变Vdd,做出一组转移特性曲线： 横坐标表示输入电压Vgs从0-5V变化， 纵坐标表示的是漏极电流ID 由上至下分别表是Vdd1=12V，Vdd2=9.6V, Vdd3=7.2V, Vdd4=4.8V，Vdd5=2.4V时mos管的转移特性。 5.改变mos管的w/L，观察输出特性的变化 解答： 比较不同w,L的输出特性曲线组图，可以看出宽长比W/L 越大，输出的漏极电流也就越大。即当其他条件相同时，漏极电流与mos管的宽长比成正比。 6.修改mos管的w/L，观察转移特性的变化： 由不同W/L下的转移特性图可知，当Vgs=6V时，W/L越大，漏极电流ID也就越大，而gm=ID/Vgs 所以gm也就越大. 实验三 mos管共源放大电路的分析 1.电路原理图： 2.共源电路的电压传输曲线： 3.在电压传输特性中选择一个适当的输出电压值作为工作点电压，并测量对应的偏置电压。 由测得的共源电路电压传输曲线，选取Vout=6.78V作为工作点电压，此时的偏执电压为VOFF=1.04V（斜率最大） 4.测量电压传输特性中工作点附近的斜率，即电压放大倍数。 如上图电压传输特性曲线所示：求得AV=（7.28-6.78）/(1-1.04)=12.5 5.在偏置电压上叠加毫伏级正弦电压时的输出波形，并计算放大倍数： 有图可求得放大倍数AV－5.0）/0.1=12 6.测量电路的幅频响应： 7.将幅频响应中低频增益和正弦电压增益以及电压传输特性斜率（增益）作比较。 由上可知三种情况下的增益基本相等 8.根据理论知识，设法提高电路的低频增益。 根据AV=-gmRD可知可以将电路的RD增大 也可将电路中mos管的宽长比增大，如下图所示增大后的电压增益 实验问答： 2.根据测试情况分析电路的工作情况。如果要提高电路的增益，应当在那些方面作改动？ 答：由本实验第八部可知，要提高电路的增益可以增加电路中noms的宽长比，或适当增大电阻RD的阻值. 3.小结实验中的三种测试方法分析各种测试方法的特点. 答：实验中用到了电压传输特性测试斜率法，这种方法感觉不准确，因为不知道怎样测量不同点的斜率值，只能根据测得两点的值，作计算估计。 对与正弦电压测试法即在直流的基础上加上小信号进行分析测试。 最后是幅频响应测试法，因为管子是理想的，没由低频的fL只有fH. 4.小结电路增益提高的途径和结果。 答：提高电路增益的途径（1）适当增加mos管的宽长比（2）适当增加电阻RD的电阻值 RD的增加不能太大要保证管子的工作条件 实验四 差动放大器的研究（1） 测量图示电路差放管的漏极电压，并测试差动放大电路的增益。测量结果与实验3比较。 原理图： 首先做直流分析： 在加入小信号交流调节电路到静态工作点上 得到Vgs与Vds 电路的增益AV=（7.007-7）/0.005=1.04 基本没放大.. 把差放管的负载电阻改为电流源，入下了图所示 同时改变了R6和R4，同时增大了电流源mos管的宽长比 由此可以计算出电路增益Av=（7.12-7.05）/0.005=14 实验问答： 估算图一的漏极静态电压，和实验结果作比较. 答：理论计算VDS=VDD-IA/2*R=12-0.5*10=7V 实验结果的VDS=7V理论与实验结果一致. 图二的电路增益提高了多少？ 答：13dB.能提高这么多是因为我将电流源的mos管的宽长比也增加了，如果不增加mos管的宽长比调好久放大倍数也不理想，而且漏极电压很难调。 电路增益能否提高到60dB以上. 增益提高后漏极电压调整是否有困难. 答：是，电路增益提高会是漏极电流提高，而要保障漏极静态电压保持不变又要减小电流 提出便于调整静态工作状态的方案. 答：固定Vgs调节可以改变差放电流或电阻的量，采用变量的形式，去不同的值测输出端的电压，寻找瞒住条件的VDS，然后在固定对应的参数。 实验五 差动放大器的研究（二） 分析图示电路。解释M6,M7如何起到稳定共模电压的作用。 答：当输出端的电压增加，即M6,M7两端的电压，则导致M6,M7的电流增加使得控制电流源M5的电阻R4两端的电压增加，即增加了M5的电流，M5电流的增加使得M1和M2上的分压真多，因此两差分mos管的分压也就减小，反之输出端的电压减小时，差分mos管的分压也就增加，这就起到了稳定共模电压的作用。 2.调节好后的电路