电力电子技术-研究生(A卷).docxVIP

______________________________________________________________________________________________________________ 一、填空题（每空 1 分，共 15 分） 1、晶闸管导通的条件是 正向阳极电压 、 正向门极触发电流 。 2、电子器件据其能被控制信号所控制的程度，可分为三大类 : 不控型 、 半控型 、 全控型 。 3、擎住电流是指晶闸管刚从 断态 转入 通态 , 移除触发信号使元件保持导通所需最 小阳极电流。 4、绝缘栅晶体管 (IGBT) 是 GTR(或电力晶体管 ) 和 MOSFET(或功率场效应管或电力 场效应管 ) 的复合型器件。 5、根据无源逆变器直流输入端接入滤波器的不同，可分为 电压 (或电压源 ) 型逆变器 和 电流 (或电流源 ) 型逆变器 ,按电子开关的工作规律分，无源逆变器的基本类型为 1800导电型 和 1200导电型 。 6、将一个 不可控 直流电压变换为 适合于负载要求的可控 直流电压的技术称为直流 斩波技术。 二、简答题（每题 5 分，共 30 分） 1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析 RCD缓冲电路各元件的作用？ (1)抑制电力电子器件内因过电压， du/dt 或过电流和 di/dt ，减少器件的开关损耗。 C限制关断时电压的上升， R限制电流的大小。 D 利用单向导电性 , 关断时起作用。 -可编辑修改 - ______________________________________________________________________________________________________________ 2、 简述电压型逆变器和电流型逆变器主电路中每一桥臂的结构 ,并分析二极管的作用。 (1)电压型逆变器每个桥臂由电子开关和一个反并联的二极管组成，二极管起续流作 用。 (2)电流型逆变器每个桥臂由电子开关串联一个二极管组成， 二极管确保每一个桥臂 的电流单方向流动。 3、 什么是逆变失败？ 如何防止逆变失败？ (1)逆变运行时 ,一旦发生换流失败 ,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路 ,或 者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联 ,由于逆变电路内阻很小 , 形成很大的短路电流 ,称为逆变失败。 (2)防止逆变失败的方法 : 采用精确可靠的触发电路 ,使用性能良好的晶闸管 ,保证交 流电流的质量 ,留出充足的换向裕量角等。 4、 什么是 IGBT 掣住效应？它有什么危害？ (1)在额定集电极电流范围内，在 NPN 管的基极与发射极之间的体内短路电阻 Rs上 的偏压很小，对 NPN 管无影响。 (2)如果集电极电流大到一定程度， Rs 上压降上升，相当于加一正偏电压，使 NPN 管导通，进而使 NPN 、PNP 两晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通 IGBT 栅极失去控制作用，这就是所谓的掣住效应。 (3)IGBT 一旦发生掣住效应，器件将失控，集电极电流将增大，早成过高的功耗， 将导致器件损坏。另外，它还关系着 IGBT 的安全工作区的大小，在实际应用中 -可编辑修改 - ______________________________________________________________________________________________________________ 是需要引以重视的问题。 5、 简要说明锯齿波垂直移相触发电路中，控制电压、偏移电压各有什么作用？ (1)改变控制电压就可以改变触发脉冲产生的时刻，达到移相的目的。 (2)设置偏移电压的目的是确定控制电压的初始相位。 6、 简述电力晶体管产生二次击穿的原因。 (1)当 GTR 的 C、 E 极间施加的电压高于晶体管的电压的额定值时， GTR 的电流雪 崩式增加，呈现负阻特性，即出现一次击穿现象。 (2)若 GTR 出现一次击穿后继续增大外加反向电压 uce，反向电流将继续增大，元件 将会吸收足够的能量，其工作状态将以极快的速度移向负阻区，形成二次击穿， 结果是在纳秒或微秒时间内器件永久性损坏。 三、计算题（每题 15 分，共 30 分） 1、单相桥式全控整流电路为阻感负载，变压器次级电压有效值为 200V， L R ， R 20 ，60 。 (1) 求输出整流电压与电流平均值，晶闸管电流平均值与有效值。 (2) 绘制电路波形 ud ， id ， uVT 1 。 解： (1)输出电压的平均值为： U d 0.9U 2 cos 0 =0.9×200×cos60=90 V 输出电流的平均值为 : I d U d =4.5 A R I d