Chiples封装结构与通信结构的研究综述.docx

Chiples封装结构与通信结构的研究综述 在芯片过去几十年的发展过程中，研究者倾向于将更多的功能集成到一个芯片上，形成了今天智能手机和服务器上的片上系统形态近年来，随着芯片功能的复杂化，为了符合摩尔定律的规律，SoC芯片的成本正在大幅度提高．首先，在最先进的工艺下完成芯片所有功能单元的设计极大的增加了设计成本；其次，更多的功能单元和更大的片上存储将会导致芯片的面积增加，进而导致芯片良率下降，造成芯片的生产成本提高．针对这些问题，芯片制造商探索了2条解决路径：一种是将面积过大的2DSoC做成单片3D（monolithic 3D，M3D）芯片，技术上采取外延延伸，在层间电介质的顶部沉积1层新鲜的硅，以形成有源器件的新表面；另一种就是将大芯片拆分成单个的小芯片（Chiplet）再封装起来．但是由于目前的单片3D IC的工艺制造困难，除了闪存以外，M3D并没有达到堆叠式芯片集成（基于Chiplet集成）所能看到的投资水平．因此随着硅芯片尺寸达到制造极限1 M3D和Chiplet1.1 M3D M3D是一种新兴技术，其集成密度比传统的基于硅通孔（TSV）的堆叠式3D IC高出几个数量级 研究表明有2种方法可以实现 M3D芯片：一种是外延生长，在层间电介质的顶部沉积一层新鲜的硅，以形成有源器件的新表面．另一种是将高质量硅层或者完整的器件层从牺牲晶圆转移到主晶圆上．IBM在10多年前的2002年国际电子设备会议上就展示了转移完整器件层的可行性此外，M3D的高密度集成也是由于其设计制造中使用了单体层间通孔（monolithic inter-tier vias，MIV）技术，这种技术类似于金属对金属过孔，可以实现非常细粒度的3D分区，但是MIV对工艺的要求非常高，图1展示了具有14nm和28nm NAND门的逻辑门、M3D采用的MIV和堆叠式芯片采用的TSV外形尺寸比较 因此，在先进的工艺节点下，虽然M3D可以作为现有工艺节点的扩展，但是由于其精度的要求高和制造的困难程度大，现有的成熟产品只在存储领域有应用1.2 ChipletChiplet的概念最早出现在2014年海思（Hisilicon）与台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company，TSMC）的晶圆级封装（chip-on-wafer-on-substrate，CoWoS）目前Chiplet的发展很快，各大芯片厂商已经有基于Chiplet设计的产品，如AMD的第1代EPYC处理器现有的封装结构区分主要通过2个方面：多个芯片是堆叠还是大面积拼接，芯片的拼接是否通过额外的中介层．基于这2个方面标准封装结构可以分为2D，2.5D，3D．通信结构主要分为以下几种：传统的总线或者NoC结构，其他基于总线或NoC的创新结构．采用2D封装结构的芯片既可以采用基于总线的通信结构，也可以采用基于NoC的通信结构．但是采用2.5D和3D封装结构的芯片大多使用基于NoC的通信结构．因为在3D封装中基于总线的通信结构设计过于复杂，引线太多，且理想的调度算法不易实现．2 Chiplet的封装结构 目前Chiplet主流的封装方式有通过TSV进行堆叠，使用硅桥完成芯片的大面积拼接或采用中介层来完成芯片的连接．其中中介层可以分为有源中介层和无源中介层．这些封装方式按照结构又可以分为2D，2.5D，3D．2.1 2D结构 我们将不通过额外中介层，直接互连芯片的形式称为2D封装，也叫多芯片模块（multi-chip module，MCM）化封装，其中最具代表性的是AMD采用其称为无限结构（infinity fabric，IF）的互连方式将多个Chiplet连接在一起，无限结构主要是由可扩展数据结构（scalable data fabric，SDF）和可扩展控制结构（scalable control fabric，SCF）组成．SDF中的芯片到芯片通信方法是这种多芯片封装方法的关键，该方法由SDF的相关AMD套接字扩展器（coherent AMD socket extender ，CAKE）组件实现．第1代EPYC芯片在第2代EPYC2.2 2.5D结构 我们将通过硅中介层来实现芯片连接的封装方式称为2.5D封装 对于采用无源中介层的2.5D封装结构，无源中介层只作为芯片之间的连接，无源中介层中不含有有源器件，仅包含芯片和TSV之间的金属布线用于信号进入/离开芯片．图4是1个2.5D封装结构的实例．2.5D封装结构通常将芯片面朝下安装在具有一系列微型凸点（micro-bumps，μbumps）的中介层上．目前的μbump间距为40~50μm，正在开发20μm和10μm的间距技术．μbumps提供