现代CMOS工艺基本流程课件.pptxVIP

CMOS工艺 CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。选择衬底--------基础Silicon Epi Layer P?晶圆的选择掺杂类型（N或P）电阻率（掺杂浓度）晶向高掺杂(P+)的Si晶圆低掺杂(P?)的Si外延层~2um~725umSilicon Substrate P+热氧化热氧化形成一个SiO2薄层，厚度约20nm高温，H2O或O2气氛缓解后续步骤形成的Si3N4对Si衬底造成的应力 Pad OxideSilicon Epi Layer P?Silicon Substrate P+Si3N4淀积Si3N4淀积厚度约250nm化学气相淀积(CVD)作为后续CMP的停止层Silicon NitrideSilicon Epi Layer P-Silicon Substrate P+光刻胶成形光刻胶成形厚度约0.5~1.0um光刻胶涂敷、曝光和显影用于隔离浅槽的定义PhotoresistSilicon NitrideSilicon Epi Layer P-Silicon Substrate P+Si3N4和SiO2刻蚀Si3N4和SiO2刻蚀基于氟的反应