第1章微电子概论概述.pptxVIP

第1章 概述;参考书 ;;认识晶圆和集成电路;;;;; 微电子技术是当代信息技术的一大基石。1947年美国贝尔实验室的William B.Shockley（肖克利），Walter H. Brattain（波拉坦）和John Bardeen（巴丁）发明了晶体管，他们为此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。图1.1是代表这一具有划时代意义的点接触式晶体管的照片。;;Why VLSI?;图1.2 Jack Kilby发明的世界上第一块集成电路;表1.1 集成电路相关工艺技术、电路规模和产品的发展概况 ;;Moore’s Law;;Intel Pentium (II)---1997;;;表1.2 动态存储器容量、芯片面积、工艺和价格发展惰况 ;当前国际集成电路技术发展趋势 ;表1-3 集成电路制造技术进程路标 ;集成电路技术发展趋势 ;;;12英寸(300mm) 0.09微米是目前量产最先进的CMOS工艺线;;6??模拟数字混合集成电路向设计工程师提出挑战。 7 由于集成电路器件制造能力按每3年翻两番，即每年58%的速度提升，而电路设计能力每年只以21%的速度提升，电路设计能力明显落后于其器件制造能力，且其鸿沟（gap）呈现越来越变宽的趋势。 8 集成电路产业连续几十年的高速增长和巨额利润导致世界范围内集成电路生产线的大量建设，目前已经出现过剩局面。 9 工艺线建设投资费用越来越高。目前一条8英寸0.35?m工艺线的投资约20亿美元，但在几年内一条12英寸0.09?m工艺线的投资将超过100亿美元。如此巨额投资已非单独一个公司，甚至一个发展中国家所能单独负担的。 ;;1.1 集成电路的发展;IDM与Fabless集成电路实现;Fabless and Foundry: Definition无生产线与代工: 定义;; 首先，代工单位将经过前期开发确定的一套工艺设计文件PDK（Process Design Kits）通过因特网传送（或光盘等媒质邮寄）给设计单位，这是一次信息流过程。PDK文件包括工艺电路模拟用的器件的SPICE参数，版图设计用的层次定义、设计规则、晶体管、电阻、电容等元件和通孔（via）、焊盘等基本结构的版图，与设计工具关联的设计规则检查DRC（Design Rule check）、参数提取（EXTraction）和版图电路图对照LVS（Layout-vs-Schematic）用的文件。 ;设计单位根据研究项目提出的技术指标，在自己掌握的电路和系统知识基础上，利用PDK提供的工艺数据和CAD/EDA工具，进行电路设???、电路仿真（或称之为“模拟”）和优化、版图设计、设计规则检查DRC、参数提取和版图电路图对照LVS，最终生成通常以—种称之为GDS-II格式的版图文件，目前基本上都是通过因特网传送给代工单位。这也是一次信息流过程。 ;代工单位根据设计单位提供的GDS-II格式的版图数据，首先制作掩膜（Mask），将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩膜上。一张掩膜一方面对应于版图设计中一层的图形，另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺。正是在一张张掩膜的参与下，工艺工程师完成芯片的流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序地固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片”。根据掩膜的数目和工艺的自动化程度，一次流片的周期约为2个月。代工单位完成芯片加工后，根据路程远近，利用飞机等不同的快速运输工具寄送给设计单位。 ;设计单位对芯片进行参数测试和性能评估，符合技术要求时，进入系统应用。从而完成一次集成电路设计、制造和测试与应用的全过程。否则就需进行改进和优化，才能进入下一次循环。;1.1 集成电路的发展;表1.4 国内可用Foundry(代客户加工)厂家;国内在建、筹建Foundry(代客户加工)厂家;表1-5 境外主要代工厂家所在的地区和其主导（特有）工艺 ;芯片工程与多项目晶圆计划 ;多项目晶圆技术;表1-6 拟开辟的代工渠道和工艺 ;国内同行通过与MOSIS建立合作关系，到2003年通过MOSIS完成了10多批近百种芯片的研制。 （Metal Oxide Semiconductor Implementation Service） 以多项目晶圆形式完成了0.35微米CMOS、0.25微米CMOS、0.18微米CMOS和砷化镓等工艺的多批次共100多种集成电路的设计、制造和测试。;集成电路设计技术的内容;Measurement System of Ultra-High-Speed ICs;1.1 集成电路的发展;1) 系统知识 计算机 / 通信 / 信息 / 控制学科 2) 电路知识 更多的知识、技术和经验 3) 工具知识 任务和内容