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PAGE PAGE # PAGE PAGE # 可用于阻变存储交叉阵列的选择器研究进展 随着信息时代的来临，存储器在日常生活中起到的作用越来越大了，其中阻 变存储器(RRAM)作为新型的非挥发性存储器的一员受到了越来越大的关注。阻 变存储器(RRAM)的集成一般分为有源(active)阵列和无源(PaSSiVe)阵列二 种。在与现今主流的浮栅FIaSh竞争中，其中无源阵列中的无源交义阵列山于其 具有高集成密度的特点是一种极有前景的应用方案，然而其中串扰问题却限制了 它的发展。本文将综述阻变存储器(RRAM)的山来以及它的两种集成方案，两种集 成方案对比后得出的无源交义阵列广阔的应用前景以及为解决无源交义阵列中 串扰现象而应用的IDlR结构(One diode One resistor)和具有自整流效应的 IR (One resistor)结构。最后对未来进行展望，无源交义阵列是阻变存储器集 成的首选方式，具有自整流效应的IR结构更是最有效的方式，这也是在与FlaSh 存储器竞争中占优势的一项。 关键词阻变存储器,有源阵列，无源阵列，IDlR,自整流 PAGE PAGE # PAGE PAGE # 第一章引言 1.1概述 在过去的好儿十年里，随着集成电路技术的突飞猛进的发展，以集成电路为 核心的信息产业在国民经济中占有越来越大的比重，特别是半导体存储器在信息 产业的增长中，起到了尤为重要的关键作用。DRAM,SRAM和FIdSh存储器是过去 信息产业的核心产品。 在市场的推动下，对于存储器的要求也就越来越高了，存储器市场需要更高 密度、高速度、低功耗、具有不挥发性的特点，而且价格更便宜的存储器产品。 U前市场上主流的非挥发存储器技术就是基于电荷存储机制的FldSh存储器，但 是在实际的应用中，我们发现这类存储器有操作电压较大、速度慢、耐久性较差 等特点，同时山于器件尺寸不断的缩小使得FIaSh的发展受到限制，一方面它的 编程电压不可以按比例减小，另一方面，器件尺寸的缩小会使得遂穿氧化层减薄, 从而使得数据保持性能恶化，所以这类的存储器会很难延续到32nm技术以下。 因此，多种基于电阻值变化作为信息存储方式的新型非挥发性存储技术越来越受 到学术界的关注，比如：磁存储器（MRAM）⑴、铁电存储器（FeRAM）、相变存 储器（PRAM）⑴、阻变式存储器（RRAM）⑶。其中阻变式存储器是一种根据施 加在金属氧化物（MetaI OXide）上的电压的不同，使得材料的电阻在高阻态和低 阻态之间发生相应变化，从而开启或阻断电流流通的通道，并利用这种性质存储 各种信息的内存，是可以显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写的内存技术， 它具有操作电压较低、操作速度快、保持时间较长、非破坏性读取、多值存储和 与CMOS工艺兼容等优点1 , 5 6 71 , U询已逐渐成为新型非挥发存储器的研究重心。 作为新型的非挥发性存储器，RRAM存储器要想在现今主流的FIaSh竞争中 取得优势，RRAM必须能够以高集成密度的优势来降低成本满足市场从而获得较 大的市场份额。我们把RRAM存储器的集成一般分为有源阵列（active）和无源 （PaSSiVe）阵列。有源阵列中，我们用场效应管（MoSFET）作选通管，与每一 个阻变式存储单元串联成ITlR （One transistor One resistor）结构用于控制 对存储单元的读写，同时在集成阵列中使用字线与位线达到选通存储单元的U的 rs,o使用这种ITIR结构通常是要将选择晶体管的单元事先制备好，然后再在其 漏端或者其源端上继续制备RRAM存储单元，理论上分析，在这种阵列中，每个 7 7 7 7 存储单元的大小主要是山选择晶体管的大小决定的，每个存储单元的面积为6F2o 而在无源阵列中，每个存储单元由互相交义的字线和位线构成的上下电极来决定 的⑼，在平面结构中可以用于实现最小的存储单元的面积为4F2。无源阵列不要 求CMoS工艺的前段制程，可以进行多层堆叠从而实现三维存储结构，每一个存 储单元的面积仅仅只有4F7N（N为堆叠的层数）EIO3o 所以，从存储阵列集成的密度角度来看，无源交叉阵列是在RRAM集成过程 中的首选方式，也是RRAM在与FwSh存储器竞争过程中的优势之一。 1.2有源阵列结构 1.2. 1 ITIR 结构 在RRAM存储器件的实际应用过程中，我们常使其状态山高阻态到低阻态进 行转变，但是，我们会发现这时通过器件的电流会突然增大，如果我们不进行补 救的话，就会造成器件的永久击穿，所以我们必须在使用的器件的二端设置一定 的限定电流来达到我们的IJ的。我们能够想到的方法就是通过外接电阻或者晶体 管的方法来达到限流的作用。但是通过外接电阻的方法，对于