大功率密度封装用粉末冶金材料.pptx

大功率密度封装用粉末冶金 热沉材料; 集成电路封装就是将一个具有一定功能的集成电路芯片（包括半导体集成电路芯片、薄膜集成电路基片、混合集成电路芯片）放置在一个与之相应的外壳容器中，为芯片提供一个稳定可靠的工作环境，保护芯片不受或少受外部环境影响，使集成电路具有稳定正常的功能。; 塑料封装材料（酚醛类、环氧类、聚脂 类、有机硅） 金属封装材料（Cu、可伐、Si/Al、WCu、MoCu、 Cu-Mo-Cu） 陶瓷封装材料（AlN、SiC、BeO） 陶瓷金属封装材料（SiC/Al) 其他（CVD Diamond、Diamond/Cu、Diamond/Ag））; 塑料封装由于具有成本低和便于自动化生产的优点，国际上90％的集成电路都采用塑料封装，并且随着塑封材料、封装结构和工艺的不断改善，比例还在不断扩大。; 在功率半导体器件、高集成度微电子器件、微波电子器件、光电器件中，随着工作频率和功率密度的不断提高，对器件的散热问题提出了严重的挑战。 Intel has “hit a thermal wall” 《纽约时报》－5/17/2004 ;Thermal Management －电路设计 －封装材料选择（Heatsink) －生产工艺选择 －封装结构设计;热沉材料（Heatsink Materials）; 2、匹配的热膨胀系数 匹配即与电子器件用陶瓷或其他介质的膨胀系数的差值小于10％，这样可以降低热阻，提高工件的稳定性、可靠性，延长使用寿命。;3、气密性 为保证电子元件工作的稳定性，高精密 度的电子元件空腔要求为高真空，封装材料 任何微量的漏气都可能导致电子元件的失 效。因此要求电子封装材料具有很高的气密 性。在热沉材料中，高的相对密度意味着高 的气密性。 4、一定的机械强度 保护整体封装结构，防止外部机械性的破坏。;;二、热沉材料的制备工艺;; AlN陶瓷的烧结非常困难，采用热压、热等静压、SPS烧结等方法能够制备出高密度高质量的AlN制品，但这些工艺成本高、效率低，无法满足电子行业日益增长的需求量。目前常用的方法是添加Y2O3、CaO等烧结助剂的常压烧结。 添加剂在高温下和AlN颗粒表面的氧化铝反应生成低熔物，产生液相，促进了AlN陶瓷的致密化。液态晶界相的存在也减少了AlN晶格中的氧缺陷，提高了AlN陶瓷的热导率。采用这种方法可制备出热导率为170～220w/m·k的AlN基片。; W-Cu、Mo-Cu合金热沉材料的制备 W粉与Cu粉直接混合烧结。 由于W、Mo与Cu几乎没有任何的溶解度，直接混粉烧结很难获得高致密度Wcu、MoCu复合材料。Ni、Fe烧结组剂的添加将极大降低WCu、MoCu的导热性。比较成功的工艺是机械合金化与W/Cu包覆粉末制备工艺。 ;一定配比原料粉末;W包Cu合金粉末直接烧结;90WCu混粉直接烧结金相照片 烧结密度低，孔隙大，导热率低;复合包覆粉末烧结WCu金相照片;其它常用的制备方法为熔渗法，即将W粉、Mo粉压制成型后，在一定温度下烧结得到所需的骨架孔隙度，再将Cu渗入孔隙中。 其优点是用这种方法制备的材料，热导率高，气密性好。 缺点：工艺过程较复杂，无法使用MIM工艺制备复杂形状产品。 ;W粉末成型;SiC/Al材料的制备 目前采用的方法是先成型SiC颗粒预制件，再将Al液熔化后渗入合成。由于SiC和Al的润湿性差，Al无法自发渗入，多采用压力熔渗、基体金属合金化、陶瓷颗粒表面涂层等方法改善其润湿性。;不同Al含量SiC/Al的CET值;原料粉末;浸渗SiC/Al复合材料金相照片;PROPERTIES DATA ;;超高热导热沉材料 CVD金刚石薄膜 ;??刚石熔点高达3000oC以上，抗氧化能力强，天然IIa型金刚石晶体室温下热导率为2000W/mk，是已知物质中最高的，为Cu的5倍。化学气相沉积（CVD)金刚石为多晶结构，膜内存在大量杂质与缺陷，其导热性能一般达不到天然金刚石的水平。 金刚石热沉是解决迅猛发展的芯片散热问题的理想材料。;热丝CVD制备金刚石薄膜的基本原理是将含碳气源（如甲烷）和氢气在灯丝产生的高温（2000oC以上）作用下分解离化后产生含碳基团和原子氢等，他们的相互作用促使构成金刚石的SP3杂化碳－碳键的形成，从而在基体（温度600-1000oC）表面沉积金刚石薄膜。;颗粒增强型金刚石/金属基复合热沉材料;金刚石颗粒/SiC热沉材料;金刚石颗粒增强Cu基热沉材料;金刚石颗粒增强Al基热沉材料;总结 高热导封装材料对