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模电练习题2021-第1章试题及答案 1. 纯净的半导体称为本征半导体。 [判断题] 对 错(正确答案) 2. 自由电子带负电，空穴带正电。 [判断题] 对(正确答案) 错 3. 自由电子是载流子，空穴不是。 [判断题] 对 错(正确答案) 4. 本征半导体导电性能很差 。 [判断题] 对(正确答案) 错 5. 在半导体内部，只有自由电子是载流子 。 [判断题] 对 错(正确答案) 6. 在 P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。 [判断题] 对(正确答案) 错 7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 [判断题] 对 错(正确答案) 8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。 [判断题] 对(正确答案) 错 9. 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。 [判断题] 对(正确答案) 错 10. 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。 [判断题] 对 错(正确答案) 11. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 [判断题] 对(正确答案) 错 12. 在 PN 结中，P 区的电势比 N 区高。 [判断题] 对 错(正确答案) 13. 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。 [判断题] 对 错(正确答案) 14. PN 结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通 电流的方向由 P 区流向 N 区。 [判断题] 对(正确答案) 错 15. 在 PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从 P 区到 N 区。 [判断题] 对(正确答案) 错 16. 漂移运动方向是从 N 区到 P 区。 [判断题] 对(正确答案) 错 17. PN 结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量。 [判断题] 对 错(正确答案) 18. PN 结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。 [判断题] 对(正确答案) 错 19. PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。 [判断题] 对 错(正确答案) 20. 结电容是常量。 [判断题] 对 错(正确答案) 21. 本征半导体在温度升高后（） [单选题] 自由电子和空穴数目都不变 自由电子和空穴数目都增加且增量相同(正确答案) 22. 在杂质半导体中，温度变化时，（） [单选题] 载流子的数目变化(正确答案) 少子与多子变化的数目不相同 少子与多子浓度的变化相同 23. N 型半导体中多数载流子是（） [单选题] 空穴 自由电子(正确答案) 24. 内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（ ） [单选题] P 型半导体 N 型半导体 本征半导体(正确答案) 25. 下列半导体材料热敏特性突出的是（ ） [单选题] 本征半导体(正确答案) P 型半导体 N 型半导体 26. 半导体获得广泛应用的原因是（ ） [单选题] 半导体的电阻介于导体与绝缘体之间 半导体可以制作成非常纯净的晶体 半导体可以通过掺杂工艺制成 N 型半导体和 P 型半导体 半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性(正确答案) 27. 本征半导体中，自由电子和空穴的数目（ ） [单选题] 相等(正确答案) 自由电子比空穴的数目多 自由电子比空穴的数目少 28. P 型半导体的空穴数目多于自由电子，则 P 型半导体呈现的电性为（ ） [单选题] 负电 正电 电中性(正确答案) 29. PN 结加正向电压时，空间电荷区将（） [单选题] 变窄(正确答案) 基本不变 变宽 30. 当 PN 结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。 [单选题] 大于 等于(正确答案) 小于 31. PN 结外加反向电压变化时，结电容近似为（） [单选题] 势垒电容(正确答案) 扩散电容 32. 关于 PN 结，下列说法中正确的是：（ ） [单选题] 其内电场方向是由 P 区指向 N 区 其内电场能够阻挡少子的漂移运动 PN 结又叫做阻挡层是因为该区有阻挡扩散运动的作用(正确答案) PN 结又叫做耗尽层是因为在该区没有任何载流子 33. 关于 PN 结的导电，下列叙述不正确的是：（ ） [单选题] PN 结加的正向电压够大时，多子的扩散比少子的漂移占优势 PN 结加反向电压时，少子的漂移比多子的扩散占优势 PN 结不外加电压时，少子的漂移与多子的扩散达到动态平衡 要给 PN 结加正向电压，P 区一侧应接低电位，N 区一侧应接高电位(正确答案) 34. 点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。 [判断题] 对 错(正确答案) 35. 普通二极管是由 PN 结引出电极封装而成的。 [判断题] 对(正确答案) 错 36. 二极管只能通过直流电，不能通过交流电。 [判断题] 对 错(正确答案) 37. 一般来说，硅晶体二极管的