模拟电子电路.pptx

模拟电子电路;教师：;课程信息：;题例;Ch0 电子学与模拟电子技术概述 ;Ch0 电子学与模拟电子技术概述;模拟电子电路;Ch1 半导体和基本半导体器件 ;1.1 半导体基础;半导体特性;本征半导体;本征半导体的原子结构和共价键:;1. 本征半导体中有两种载流子;本征半导体载流子的浓度：;载流子的产生与复合:;杂质半导体;N型半导体:;P型半导体:;Ch1 Semiconductor…\1.1 Elementary\… ;1.2 PN结与二极管;;内电场阻止多子扩散 ;?;1. PN结加正向电压时的导电情况;2. PN结加反向电压时的导电情况;结论：PN结具有单向导电性。;式中 Is ? 饱和电流; VT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T=300K（室温）时 VT= 26mV;? 势垒电容CB; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;PN结的反向击穿;;? 二极管的伏安特性;? 晶体二极管的伏安特性;;;;1.3 各类二极管及其应用;? 稳压二极管;? 稳压二极管;;光电二极管与发光二极管;;发 光 二 极 管;二极管的应用;;二极管应用;; 依靠电容的冲放电作用可减小纹波： 当电压小于电容两端电压时，由电容向负载放电。 当电压大于电容两端电压时，由电压向电容充电，并向负载提供电压。;二极管应用;小 结;? 二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述 即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1). 硅管：当UD0.7V时，二极管导通，导通后，UD=0.7V 锗管：当UD0.3V时，二极管导通，导通后，UD=0.3V ? 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。 ? 二极管基本用途是整流稳压和限幅。 ? 半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光—电、电—光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。;重点：晶体二极管的原理、伏安特性及电流方程。 难点：1.两种载流子 2.PN结的形成 3.单向导电性 4.载流子的运动 ;半导体二极管的型号;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;1.4 双极型三极管—BJT;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Sect;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Ch1 Semiconductor…\1.4 BJT \… ;Sect;三极管输入特性曲线;三极管输出特性曲线;三极管输出特性曲线;Sect;① ICM —— 集电极最大允许电流;;直流参数;电流放大系数;1.5 场效应管—FET;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;FET与BJT的区别;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;? JFET结构;; 当UGS=0时，沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。 当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小， 当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。 当漏极电流为零时所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。 ;? JFET特性曲线;结型场效应管;Ch1 Semiconductor…\1.5 FET \… ;? N沟道增强型MOS场效应管结构; 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 ;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;?