TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真.doc

TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真. TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真. PAGE / NUMPAGES TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真. TLP 应力下深亚微米 GGNMOSFET 特性的仿真 该文章主要研究 TLP 脉冲的上升沿时间以及 GGNMOS 的栅对地电阻对 GGNMOS 特性的影响，该文以 SILVACO 仿真工具为平台分析了这两个因素的 影响。仿真采用能量平衡传输模型， 并对雪崩离化模型和电子空穴弛豫时间的模型参数做了校准。该文提出了 GGNMOS 中存在的两条电流通路：漏致势垒降低效应（ DIBL ）引起的电流通路和寄生 BJT 导通后形成的通路。该文将仿真结果中各时刻的状态以及相应状态下的 ESD 防护结构中的电流分布作了分析，并在分布图中指出了两条电流通路在各时刻的状态。 此外，该文还对栅对地电阻的大小对 GGNMOS 的特性影响作了分析。由于栅漏交叠区域有一个寄生电容的存在，该电容能延缓栅氧两端压降的变化， 可是如果直接将栅直接接地， 电容充电时间 为 0，相当于不起作用，随着栅对地电阻的增大，充电时间变长，这时栅氧两端的压降将缓慢升高，能抑制 ESD 信号到来时的电压过冲效应，仿真证实了这一论断，在电阻值达到 10K Ω时，尖峰被削平。