第二章材料现代分析测试方法光电子能谱与俄歇电子能谱.pptxVIP

第二章 光电子能谱与俄歇电子能谱 ;(3)俄歇电子能谱 Auger Electron Spectroscopy, 简称AES， 主要应用：可以做物体表面的化学分析、表面吸附分析、断面的成分分析 。; 1954年瑞典的Siegbahn建立了XPS， 1981年Siegbahn获得诺贝尔物理奖。;第一节 光电子能谱的基本原理 ;光电效应 ;X射线敫发俄歇电子;hv;实验中光电子能谱测量得到的是电子的动能EC ;（二）光源 ;银片的X射线光电子能谱(Mg Kα激发源);Background:;;d电子双峰 峰面积比2:3;图 UPS探测价电子能态;;UPS还用于考察气相原子、分子以及吸附分子的价电子结构。它的分辨率高，可以分辨分子的振动精细结构，表现在光电子能谱上为距离很近的双峰 ;对光源的要求： 单色性好：自然宽度小 足够的能量 足够的强度; 1．X射线源 通常用电子束轰击适当的靶，在特定的内壳中引起空位，通过辐射跃迁，原子的一个电子填充此空位，产生特征X射线。 此过程的阈值能即是内壳电子的结合能。当轰击电子的能量刚好高于阈值时，产生的X射线的强度是很低的，但随着电子能量的提高，强度迅速增加，一般要求3-5倍于阈值能(临界敫发电压)。 例：产生Cu的K? -X射线，要求电压高于30 kV。对于较轻的元素（如铝和镁）电子束能应为阀值能的5-10倍。;常用X光源：Mg和Al的K? -X射线。它们有较好而实用的自然宽度（半高峰线宽，Al是0.9 eV，Mg是0.8 eV）。对于原子序数Z更高的元素（高于13），K壳的自然宽度增加，如铜（Z=29）为2.5 eV。 除了K层X射线以外，也曾用L和M层X射线作过一些工作，由于它们的谱线较复杂，不如K- X射线满意，所以很少用。 ;2．真空紫外源 真空紫外灯：由受激自由原子或离子去激发产生。这些线强度大，自然宽度仅几毫电子伏特，对大多数分子轨道的研究有足够的能量。一般这种源可以不用单色器，因为强线附近没有其它辐射产生。 真空紫外区中最广泛应用的是He-I线（584 ?，21.22 eV），这种谱线是将氦原子激发到共振态后，由2p?1s跃迁产生的，自然宽度只有几meV。;表5-1 He-I灯的辐射和常见杂质;（三）试样 ;二、 光电子能谱的测量原理 （一）分析原理;; 图 样品光???子与分析器光电子动能的比较 ; 原子内壳层电子的结合能受核内电荷和核外电荷分布的影响，任何引起电荷分布发生变化的因素都能使原子内壳层电子的结合能产生变化。 在光电子能谱上可以看到光电子谱峰的位移，这种现象称为电子结合能位移。 由于原子处于不同的化学环境里而引起的结合能位移称为化学位移。化学位移可正可负，位移量值一般可达束缚能的百分之几。; 原子核附近的电子受核的引力和外层价电子的斥力，当失去价电子而氧化态升高时，电子与原子核的结合能增加，射出的光电子动能减小。 化学位移的量值与价电子所处氧化态的程度和数目有关。氧化态愈高，则化学位移愈大。 在金属元素的光电子能谱中，最容易出现的是由于氧化而发生的1s 电子结合能位移。 ; 铍（Be），经氧化后生成BeO，其光电子谱峰比纯铍的1s 电子结合能向高能方向移动了2.9eV。当铍与氟（F）生成BeF2时，虽然它同BeO具有相同的价数，但却处在更高的氧化态。因此在BeF2中，由氟所引起的位移比BeO中氧所引起的还要大。;;;Au;Si;使用不同能量的光源; 1. 元素定性分析 根据测得的光电子能谱就可以确定表面存在什么元素以及该元素原子所处的化学状态，这就是X射线光电子谱的定性分析。 各种元素都有它特征的电子结合能，因此在能谱图中就出现特征谱线，可根据这些谱线在能谱图中的位置来鉴定除H和He以外所有的元素。;;;; 2. 定量分析 根据具有某种能量的光电子的强度（光电子峰的面积），便可知道某种元素在表面的含量，这就是X射线光电子谱的定量分析。;3. 化合物结构鉴定; 4. 表面分析 因为只有深度极浅范围内产生的光电子，才能够能量无损地输运到表面，用来进行分析，所以只能得到表面信息。 5. 深度分布分析 如果用离子束溅射剥蚀样品表面，然后用X射线光电子谱进行分析，两者交替进行，还可得到元素及其化学状态的深度分布，这就是深度剖面分析。 ;; （三）分析特点