EEG9013-电磁兼容-Handout-No.8课件.ppt

2021/9/12 * 在计算反射损耗时, 应先根据电磁波的频率及场源与屏蔽体间的距离确定所处的区域。 如果是近区, 还需知道场源的特性, 若无法知道场源的特性及干扰的区域(无法判断是否为远、 近场)时, 为安全起见, 一般只选用RH的计算公式, 因为RH、 RE、 Rp存在以下关系: RERPRH 2021/9/12 * 多次反射损耗B的计算（p166） 式中, Zw为干扰场的特征阻抗; 为屏蔽材料的特征阻抗。 多次反射损耗是电磁波在屏蔽体内反复碰到壁面所产生的损耗。 当屏蔽体较厚或频率较高时, 导体吸收损耗较大, 这样当电磁波在导体内经一次传播后到达屏蔽体的第二分界面时已很小, 再次反射回金属的电磁波能量将更小。 多次反射的影响很小, 所以在吸收损耗大于15 dB时, 多次反射损耗B可以忽略。 在屏蔽体很薄或频率很低时, 吸收损耗很小, 此时必须考虑多次反射损耗。 （23） 2021/9/12 * 金属屏蔽体孔阵所形成的电磁泄漏, 仍可采用等效传输线法来分析, 其屏蔽效能表达式为 　　　　　　　　　　　 (24) 非实心型的屏蔽体屏效的计算 式中各参数的单位均为分贝(dB)。 式前三项分别对应于实心型屏蔽体的屏蔽效能计算式中的吸收损耗、 反射损耗和多次反射损耗。 后三项是针对非实心型屏蔽引入的修正项目。 式中, Aa为孔的传输衰减; Ra为孔的单次反射损耗; Ba为多次反射损耗; K1为与孔个数有关的修正项; K2为由趋肤深度不同而引入的低频修正项; K3为由相邻孔间相互耦合而引入的修正项。 2021/9/12 * 各项的计算公式如下: 　　(1) Aa项: 当入射波频率低于孔的截止频率fc(按矩形或圆形波导孔截止频率计算)时, 可按下述两式计算: 　 矩形孔 圆形孔 式中, Aa为孔的传输衰减(dB); l为孔深(cm); W 为与电场垂直的矩形孔宽度(cm); D为圆形孔的直径(cm)。 (25(a)) (25(b)) 2021/9/12 * 　　(2) Ra项: 取决于孔的形状和入射波的波阻抗Zw, 其值由下式确定:　　　　　　　　　　　　　　　 (26) p为孔的特征阻抗与入射波的波阻抗之比, 根据波导理论可知, 在截止情况下矩形孔的特征阻抗为: 圆形孔的为: (27) 各种入射波的波阻抗由式(22) 给出, 对于低阻抗场的矩形孔有: 　　　　　　　　　　　　　　　　　 对于圆形孔有: 　　　　　　　　　　　　　 (28(a)) (28(b)) 2021/9/12 * 同理可得, 对于高阻抗场的矩形孔: 　　　　　　　　　 (29(a)) 对于高阻抗场的圆形孔: 　　　　　　　　　　　　　　　 (29(b)) 2021/9/12 * 　　对于平面波场矩形孔: 　　　　　　　　　　　　　　　　　 (30(a)) 　 对于平面波场圆形孔: 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 上式中, W 为矩形孔宽边长度(m), D为圆形孔直径(m), r 是干扰源到屏蔽体的距离(m), f 是频率(Hz), λ为波长(m)。 (30(b)) 2021/9/12 * 　　(3) Ba项: 当Aa15 dB时, 多次反射修正项由下式确定 　　　　　　　　　　　　　 式中, p与式(26) 中的 p 的意义相同;Aa由式(25) 给出。 　　(4) K1项: 当干扰源到屏蔽体的距离比孔间距大得多时, 孔数的修正项由下式确定 K1=－10lg(an) 式中, a为单个孔的面积(cm2); n 为每平方厘米面积上的孔数。 如果干扰源非常靠近屏蔽体, 则K1可忽略。 (31) (32) 2021/9/12 * 　　(5) K2项: 当集肤深度接近孔间距(或金属网丝直径)时, 屏蔽体的屏蔽效能将有所降低, 用集肤深度修正项表示这种效应的影响。 K2=－20lg(1+35P－2.3) 式中, P为孔间隔导体宽度与集肤深度之比。 　　(6) K3项: 当屏蔽体上各个孔眼相距很近, 且孔深比孔径小得多时, 由于相邻孔之间的耦合作用, 屏蔽体将有较高的屏