MCS单片机存储器扩展讲课文档.pptVIP

2817E2PROM(2/2)： 2817 的工作方式如下表：其中I表示输入，O表示输出。L表示低电平，H表示高电平。×表示任意。CE\是片选，OE\是输出允许，WE是写信号，R/B是准备就绪/忙状态。 第二十九页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 闪速存储器芯片概述(1/2)： 闪存(Flash Memory)是一种在EPROM与E2P ROM基础上发展起来的,它与EPROM一样用单管来存储一位信息,与E2PROM相同之处是用电来擦除;不同之处是(1) 与EPROM比较,系统加电情况下可擦除和重复编程，而不需要特殊的高电压；(2) 与E2PROM比较,成本低、密度大、存取速度高、功耗小；(3)只能擦除整个区域或整个器件（ E2P ROM可以一次只擦除一个字节）。闪存的工作原理是利用“热电子”注入来实现写入的,擦除技术是在电场作用下,浮置栅上的电子越过氧化层进入源极区而全部消失,从而实现整体擦除或分区擦除。 典型半导体存储器芯片(4/4) 第三十页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 闪速存储器芯片概述(2/2)： 闪存(Flash Memory) 特点：固有的非易失性,不需备用电池来确保数据存留；可直接执行,省去从磁盘到RAM的加载步骤;可实现在线编程；编程写入及擦除速度快。 Flash ROM应用：(1) 主板、显卡BIOS;(2)移动存储器;(3)MP3播放器;(4)数码相机、摄像机存储卡;(5)嵌入式、便携式系统电子盘等。 从结构上分主要有AND、NAND、NOR等。NOR与NAND 均为非易失性闪存模块。NOR又称Code Flash，有些类似于DRAM（内存）。它具有单独的地址、数据和控制线，便于直接读取。 第三十一页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 28F040是一块512K×8B 的闪速EEPROM芯片，其内部可分成16个32KB的块(或一页)。每一块可独立进行擦除。G\为输出允许信号，低电平有效；E\为芯片写允许信号，在它的下降沿锁存选中单元的地址，用上升沿锁存写入的数据。19地址线、8根数据线。 典型的闪存典型芯片28F040(1/2)： 第三十二页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 典型的闪存典型芯片28F040(2/2)： 工作过程有三种工作方式：（1）读出；（2）编程写入；（3）擦除； 控制方法：通过向储存器芯片内部状态寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式 。状态寄存器各位的含意： 位 高电平（1） 低电平（0） 用于 SR7(D7) 准备好 忙 写命令 SR6(D6) 擦除挂起 正在擦除/已完成 擦除挂起 SR5(D5) 块或片擦除错误 块或片擦除成功 擦 除 SR4(D4) 字节编程错误 字节编程成功 编程状态 SR3(D3) VPP太低，操作失败 VPP合适 监测VPP SR2~SR0 保留未用 第三十三页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 计算机存储器地址空间的结构概述(1/3)： 存储器的作用：存放程序和数据。 存储器由许多单元组成，每个单元有一个编号（称为地址）。一个单元存放一个8位二进制数（字节）的内容，当一个数据多于8位时，就需要多个单元来存放。 存储器分ROM和RAM等: 单片机的存储器结构 FFH 90H … … 02H 00H 01H 3AH 00H 78H 内容 地址 ROM：用来存放程序、常数——程序存储器； RAM：存放程序运行中所需的变量或运算结果——数据存储器。 第三十四页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 计算机存储器地址空间的结构概述(2/3)： 存储器地址空间有两种结构形式——普林斯顿结构和哈佛结构。 普林斯顿结构：只有一个地址空间，一个地址对应唯一的存储器单元， RAM和ROM安排在一个空间的不同区域，程序和数据共用一个存储器逻辑空间，统一编址。CPU访问RAM和访问ROM使用相同的指令。 例如：如8086、MCS-96单片机,奔腾、Intel系列微机。 FFFFH RAM ROM 0000H 普林斯顿结构 第三十五页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 计算机存储器地址空间的结构概述(3/3)： 哈佛结构： RAM和ROM有两个不同的地址空间，RAM和ROM可以有相同的地址，也就是说程序与数据分为两个独立存储器逻辑空间，分开编址。CPU访问RAM和访问ROM使用不同的指令、不同的控制信号。如51系列单片机。 FFFFH RAM 0000H FFFFH ROM 0000H 哈佛结构 第三十六页，编辑于星期五：十三点 二十五分。 MCS-51单片机的存储器的结构(1/3)： MCS-51单片机的存储器在物理上是分开的，共有4个存储空间：片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器。 但从逻辑上看