LPMOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管.docVIP

LPMOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管 LPMOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管 PAGE / NUMPAGES 膂PAGE 螀薈 薀肃 蒄蒅 袄莆 蕿蒈 薀肀 袅螃 莂羅 薂莈 虿芁 芆芅 肄薄 莁艿 蝿蒂 蚇薃 薂蒇 膀腿 衿葿 膈膅 芄肆 膃腿 罿蚀 芅蒃 羆蚆 羂聿 聿羂 蚆羆 蒃芅 蚀罿 腿膃 肆芄 膅膈 葿衿 腿膀 蒇薂 薃蚇 蒂蝿 艿莁 薄肄 芅芆 芁虿 莈薂 羅莂 螃袅 肀薀 蒈蕿 莆袄 蒅蒄 肃薀 薈螀 螇膂 羃莇 袂蒀 蚈羂 膈螄 蚅羇 薁莀 螈芃 莅肃 肂薆 荿芀 螈膀 螅薅 袄膅 莂膀 袈蒁 膆袃 节肈 膁肀 羈蚂 薇莅 羄蚇 羀羁 肇袃 羈蚃 蒂芆 羃羁 膇袀 肅芅 膄袅 螂薇 芇肁 蒆蒃 袆蒄 薁蒇 莇莃 袇肅 莄芈 芀莇 LPMOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管 第19卷第9期 1998年9月 CONDUCTORS  半 导 体 学 报 CHINESEJOURNALOFSEMI Sep.,1998  Vo 国家“863计”划高科技重要项目 王国宏男,1964年出生,博士研究生,从事2族半导体资料的MOCVD生长及发光器件的研究 马骁宇男,1963年出生,研究员,从事2族半导体资料的MOCVD生长及半导体激光器的研究 曹青女,1969年出生,工程师,从事2族半导体资料的MOCVD生长及半导体激光器的工艺制作 1998202210收到 LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度 橙黄色发光二极管 3 王国宏 马骁宇 曹 青 张玉芳 王树堂 李玉璋 陈良惠 (中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心 北京 100083 作条件下,工作电压 119V,发光波长峰值在 605nm,峰值半宽为1813nm,管芯均匀亮度达到 20m cd,最大2914mcd, 透明封装成视角(2Η1215° 的LED灯亮度达到1cd.PACC:4255P,4260D,6865,7230 前言 可与GaAs衬底晶格般配的 AlGaInP系资料拥有较宽的直接带隙 (119～ 213eV,可实现从红色到绿色的各样波长 ,特别在橙、黄波段发光效率很高 ,是制备 橙、黄光发光二极管的最正确资料 [1].以日本东芝企业为代表的一些国际大企业利用 LED的研究尚处起步阶段无商品化产品 ,LED厂家靠入口管芯进行后道封装 .我们利用Aixtron企业的AIX200RDMOCVD设施外延生长AlGaInPDH构造的LED,引入厚层Al017Ga0.3As电流扩展层和衬底前DBR反射器,在国内第一制备了高亮度LED器件,LED管芯在20mA工作条件下,工作电压119V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为1813nm,均匀亮度达到20mcd,最大2914mcd,透明封装成视角(2Η1215° 的LED灯亮度达到1cd,填补了国内空白,为高亮度AlGaInPLED的商品化生产确立了基础. 器件构造 图1为AlGaInP发光二极管构造剖面表示图.其采纳双异质结(DH构造,为实现橙黄色发光有源区采纳非成心混杂(Al0.2Ga0.80.5In0.5P,厚度015～1Λm. 上下限制层分别为 p型 和n型的(Al0.7Ga0.30.5In0.5P,混杂浓度分别为:p型1×1018cm-3、n型 5×1017cm-3, 厚度 015～1Λm.电流扩展层采纳p2Al0.7Ga0.3As混杂浓度为2～3×1018cm-3,厚度7Λm,Hall测图1AlGaInP发光二极管构造表示图 反射器(DBR为10对Al0.5Ga0.5As2AlAs,根 据AlxGa1-xAs的光学参数[3],在波长600nm CrAu和AuGeNi .3 器件构造的LP-MOCVD外延生长和检测 TMIn,五族源为  :TMAl  、TMGa  、 PH3,p型混杂剂和n型混杂剂分别为DEZn和2%的SiH4,总H2流量为7lmin,生长温度为680～730℃,反响室压力100～150mbar,比150～260,生长速率 18～72nmmin,p2AlGaAs资料外延层资料生长的三族源分别为  :TMAl  、TM 别为DEZn,总H2流量为7lmin,生长温度为720 ～750℃,反响室压力20～50mbar,比100～150,生长速率50～70nmmin,采 用n2GaAs衬底,晶向(100偏(1114 ～10°.图2(见图版I为外延层的扫描电镜照片,从图中可见各层界面特别清楚平坦,图3(见图版I为外延层腐化Al0.7Ga0.3As后的X射线双晶衍射摇晃曲线,由衍射峰的对称性判断图中0,-1,+1峰分别为DBR反射器的0级和±1级峰,并由 小于GaAs衬底的热膨胀系数,生长温度下般配的外延层在室温测试时应为 1×10