原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
*
霍尔传感器
1.霍尔效应
将导体或者半导体置于磁场强度为B的磁场中，并且在
垂直于磁场的方向通入控制电流I，那么在导体的垂直于磁
场和控制电流方向的两个端面之间会出现电动势E ，这一
H
现象便是霍尔效应，这个电动势被叫做霍尔电动势。能产
生霍尔效应的导体或者半导体称为霍尔元件。
B
+
d
+ + + + + + +
FE
I I
v
e EH
a
b
FL
c
（a）霍尔效应原理图 (b) 图形符号
图4-7 霍尔效应和霍尔元件
以N型半导体薄片为例，该导电的载流子是自由电子，
在垂直于半导体的磁场作用下，自由电子受到洛伦兹力F 的作
L
用，向c侧偏转，使c侧形成自由电子的堆积带负电，另一侧因
为缺少电子带正电，所以在c、d两侧形成一个电场E，该电场对
自由电子的作用力与洛伦兹力方向相反，阻止自由电子向c侧偏
转，随着自由电子堆积的也多，电场越强，则电场力F 越大，
E
而洛伦兹力始终保持不变，直至电场力和洛伦兹力相等，此时
在c、d两侧形成的稳定的霍尔电动势。
K —霍尔元件的灵敏度
E =K IB H
H H
若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一
角度 时。
E =K IBcos
H H
霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正
比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也
*
随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则
霍尔电势为同频率的交变电势。
2．霍尔元件的主要参数
温度对其的影响
（1）输入电阻R 和输出电阻R
i o •该电阻会随着温度的升高而减小，
霍尔元件的a、b两侧为控制电 使控制电路I增大，霍尔电动势EH
解决办法
极，两电极之间的电阻称为输 也随之增大
输入电阻和输出
•恒流源供电
入电阻Ri 电阻可以在无磁
场时，可用欧
文档评论（0）