模拟电子技术基础课件：第四讲 半导体三极管及放大电路基础.PPTVIP

这一章是课程的重要章节，内容涉及放大电 路的基本概念、基本电路和基本分析方法。 主要内容： 1、半导体三极管的结构及工作原理，放大电 路的三种基本组态。 2、静态工作点Q的不同选择对非线性失真的 影响。 3、用H参数模型计算共射极放大电路的主要 性能指标。 4、共集电极电路和共基极电路的工作原理。 5、三极管放大电路的频率响应。 学习目标： 1、掌握BJT的电流分配关系、放大条件及放大工作原理； 2、掌握静态、动态、直流通路、交流通路、频率特性及温度漂移等基本概念； 3、掌握结合具体电路进行合理近似的估算法； 4、学会用图解法分析放大电路的静态、动态工作情况； 5、熟练掌握运用小信号模型等效电路法计算放大电路的动态性能指标； 6、熟练掌握共射（包括工作点稳定电路）、共集和共基放大电路的工作原理及特点； 7、掌握放大电路频率特性的相关概念； 8、会画出近似波特图； 9、定性了解多级放大电路频带宽度与单级的关系 。 4.1 半导体三极管（BJT） 半导体三极管的型号 NPN共射输入特性曲线的特点描述 （1）当vCE=0V时，相当于正向偏置的两个二极管并联，所以与PN结的正向特性相似 （2） vCE≥1V的特性曲线比vCE=0V的右移。原因： vCE≥1V时集电结反偏，集电结吸引自由电子的能力增强，从发射区注入的自由电子更多地流向集电区，对应于相同的vBE （即发射区发射的自由电子数一定） ，流向基极的电流减小，曲线右移 （3） vCE1V与vCE=1V的曲线非常接近，可以近似认为重合 （4）有一段死区 （5）非线性特性 （6）温度上升，曲线左移 （7）陡峭上升部分可以近似认为是直线，即iB与vBE成正比（8）放大状态时，NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V NPN共射输出特性曲线的特点描述 截止区: 的区域:三个电极上的电流为0,发射结和集电结均反偏,相当于开关打开,在数字电路中作为开关元件的一个状态。 有关三个区的几个简单结论 截止区: 三极管的三个电极所在的支路中的电流为0,任意两个极之间的电压是多少，决定于外电路，满足电路方程。 饱和区： NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V，没有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 放大区：NPN的vBE =0.7V, PNP的vBE =-0.2V， 有?，三极管的三个电极所在的支路中的电流决定于外电路，满足电路方程。 3、在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中实际流动的电流iB 4、比较iB和IBS的大小: 若iB IBS ，则三极管处于饱和状态; 或者 ?IB ICS 若iB IBS ，则三极管处于放大状态； 或者 ?IB ICS * * 4.1 半导体三极管（BJT） 4.2 共射极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 放大电路的工作点稳定问题 4.6 共集电极电路和共基极电路 4.7 放大电路的频率响应 4.8 多级放大电路 学习指导 4.1 半导体三极管（BJT） BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 BJT的应用: (1)在模拟电路中作为放大元件 (2)在数字电路中作为开关元件 1个PN结 : 二极管,单向导电性,开关作用,非线性电阻 2个PN结 : 三极管,电流控制作用,开关作用 3个PN结 : 晶闸管,可控整流 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.2 BJT的电流分配与放大（控制）原理 4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点(对NPN PNP型均适用) 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 1、要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件： 外部条件：外加直流电压源保证发射结正偏，集电结反偏。 内部条件: 发射区的掺杂浓度最高；