集成电路工艺硅的晶体结构培训课件.pptx

Chap 1 硅的晶体结构 ;Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 图中从左到右分别是450mm（18英寸）、300mm（12英寸）和200mm（8英寸）的晶圆，其中只有8寸为晶圆实物，18寸和12寸皆为比例模型。 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术； ; 硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。 ? ? 然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。 虽然晶圆尺寸愈大，愈能降低芯片制造成本，但推升晶圆尺寸所需的技术和复杂度高，需要设备、元件等产业链的搭配，建厂成本亦会大幅增加，具备一定难度。; 晶圆尺寸的更新换代一般都需要十年左右，比如200mm晶圆是1991年诞生的 ，截至2008年，广泛使用的300mm晶圆则是Intel在2001年引入的，并首先用于130nm工艺处理器。事实上，仍有些半导体企业仍未完成从200mm向300mm的过渡，而Intel此番准备升级450mm必然会让半导体产业的芯片制造经济得到进一步发展。450mm晶圆无论是硅片面积还是切割芯片数都是300mm的两倍多，因此每颗芯片的单位成本都会大大降低。当然，投资更大尺寸的晶圆是需要巨额投资的，一般来说年收入低于100亿美元的企业都武力承担。 Intel不存在这方面的困扰，Intel预计2015年其首条450mm产线将可开始试产。预计今年首批测试用450mm晶圆可制成，相应的芯片生产设备方面则会在今年到位。 台积电450mm计划暨电子束作业处处长游秋山表示，18寸晶圆发展之路仍有许多挑战，若按照台积电规划，于2018年开始以10奈米量产18寸晶圆，届时适用的微影技术是否够成熟是最大问题。 台湾积体电路制造股份有限公司即台积电，全球第一家的专业集成电路制造服务公司，产能居世界之冠 根据SEMI统计数据，若去除记忆体相关产品线，台积电在2011年已拥有近110万片约当8寸晶圆片的产能，居世界之冠，估计至今年底，台积电12寸厂的所有洁净室面积超过32个世界杯足球场大小。 ;Si 的基本特性: 金刚石结构，晶格常数a=5.431 ? 间接带隙半导体， 禁带宽度 Eg=1.12eV 相对介电常数， ?r=11.9 熔点： 1417oC 原子密度： 5x1022 cm-3 本征载流子浓度：ni=1.45x1010 cm-3 本征电阻率 ?=2.3x105 ?·cm 电子迁移率 ?e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率?h=450 cm2/Vs ;1.1 硅晶体结构;2. 金刚石结构特点 （1）共价四面体： 硅由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一长度套构而成的。 一个原子在四面体的中心，另外4个同它共价的原子在正四面体的4个顶角上，这种四面体也称共价四面体。 （2）晶体内部的空隙 金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体内，同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的条件。;1.2 晶向、晶面和堆积模型;5.?? 双层密排面的特点： (1)在晶面内原子结合力强，晶面与晶面之间距离较大，结合薄弱。 (2)两个双层面间，间距很大，而且共价键稀少，平均两个原子才有一个共价键，致使双层密排面之间结合脆弱。 ; 6.??? 金刚石晶格晶面的性质： （1）由于{111}双层密排面本身结合牢固，而双层密排面之间相互结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着{111}晶面劈裂。这种易劈裂的晶面称为解理面。 （2）由{111}双层密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，所以腐蚀后容易暴露在表面上。 （3） 因{111}双层密排面之间距离很大，结合弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展。 （4）{111}双层密排面结合牢固，表明这样的晶面能量低。由于这个原因，在晶体生长中有一种使