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- 2021-10-03 发布于北京
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半導體製程簡介;半導體製造流程;半導體製程分類;I.晶圓製造;晶圓製造流程;晶圓材料;多晶矽原料製造(西門子法);單晶生長技術;長晶程序(柴式長晶法);柴氏長晶法示意圖;單晶成長流程圖;晶柱後處理流程;晶圓切片(Slicing);晶圓切片流程;晶邊圓磨(Edge contouring);輪磨示意圖;晶面研磨(Lapping);化學蝕刻(Etching);以研磨劑中之NaOH,KOH,NH4OH腐蝕最表層,由機械磨擦進行拋光
邊緣拋光
降低微粒附著
增加機械強度
表面拋光
去除微缺陷
平坦化;晶圓清潔(Cleaning)(一);晶圓清潔(Cleaning)(二);II.晶圓處理;晶圓處理流程;氧化反應(Oxidation);薄膜沉積(Deposition);物理氣相沉積 -- 蒸鍍(Evaporation);物理氣相沉積 -- 濺鍍(Sputtering);化學氣相沉積;微影製程(Photolithography);光阻;光阻塗佈;曝光;曝光概念圖;蝕刻(Etching);摻雜(Doping);IC製程簡圖(一);;IC製程簡圖(三);III.晶圓針測;晶圓針測示意圖;晶圓針測流程圖;IV.半導體構裝;電能;構裝的分類(一);構裝的分類(二);構裝的名稱與應用;構裝之演化及趨勢;
晶片切割(Die Saw)
黏晶(Die Bond)
銲線(Wire Bond);封膠(Mold)
剪切(Trim)
成形(Form)
印字(Mark);電路連線技術;打線接合技術;捲帶自動接合技術;覆晶接合技術;各連線技術之應用範圍;V.半導體測試;半導體測試流程;半導體測試簡介(一);半導體測試簡介(二);半導體測試簡介(三);半導體測試簡介(四);半導體測試簡介(五)
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