Ch05IC有源元件与工艺流程.pptxVIP

集成电路设计基础;第五章 IC有源元件与工艺流程;第五章 IC有源元件与工艺流程 ;图5.1 几种IC工艺速度功耗区位图;5.2 双极性硅工艺 ;5.2 双极性硅工艺;5.3 HBT工艺;5.4 MESFET和HEMT工艺 ;GaAs工艺：HEMT;GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构;Main Parameters of the 0.3 mm Gate Length HEMTs;与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为: 跨导相对低; 阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度； 驱动电流小 由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT要高十倍多。 ;5.5 MOS工艺和相关的VLSI工艺;??5.7 MOS工艺的分类 ;认识MOSFET;MOS工艺的特征尺寸(Feature Size);5.6 PMOS工艺5.6.1 早期的铝栅工艺;铝栅PMOS工艺特点：;Al栅MOS工艺缺点;Al栅MOS工艺的栅极位错问题;5.6.2 铝栅重叠设计;铝栅重叠设计的缺点;克服Al栅MOS工艺缺点的根本方法;5.6.3 自对准技术与标准硅工艺;标准硅栅PMOS工艺;硅栅工艺的优点：;5.7 NMOS工艺;5.7.1 了解NMOS工艺的意义;5.7.2 增强型和耗尽性MOSFET (Enhancement mode