离子注入+最详细的课件.ppt

二、离子注入层的电特性 注入到半导体中的受主或施主杂质大部分都停留在间隙位置处，而处在这个位置上的杂质原子是不会释放出载流子的，也就不会改变半导体的电特性，达不到掺杂的目的。 经过适当温度的 退火 处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性。这个过程称为杂质原子的 电激活。 　　退火处理也可以减少注入损伤。 三、退火技术 目的：消除注入损伤，并使注入的杂质原子进入替位位置而实现电激活。 机理：使移位原子与注入的杂质原子在高温下获得较高的迁移率而在晶体中移动，从间隙位置进入替位位置。 退火技术可分为 热退火 与 快速热退火。热退火的温度范围为 300℃ ~ 1200℃。退火会改变杂质的分布。 热退火虽然可以满足一般的要求，但也存在一些缺点：对注入损伤的消除和对杂质原子的电激活都不够完全；退火过程中还会产生二次缺陷；经热退火后虽然少子的迁移率可以得到恢复，但少子的寿命及扩散长度并不能恢复；此外，较高温度的热退火会导致明显的杂质再分布，抵消了离子注入技术固有的优点。 实验发现退火后的实际杂质分布比上式预测的要深，原因是离子注入时形成的高浓度缺陷增强了杂质的扩散。这种现象称为