2012CB619200-G高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证.pdf

. 项目名称： 高性能近红外 InGaAs 探测材料基础研 究及其航天应用验证 首席科学家： 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究 所 起止年限： 2012.1-2016.8 依托部门： 中国科学院 上海市科委 . . 一、关键科学问题及研究内容 为满足我国航天应用对地遥感、 天文观测和深空探测等领域极弱信号近红外 探测的需求，以获得极低暗电流和高量子效率的 III-V 族 InGaAs 近红外探测器 为牵引，以研究低缺陷密度和高光电转换效率的失配体系 InGaAs 材料为主线， 对高 In 组分异质材料能带和载流子输运进行科学调控，揭示失配体系材料的界 面特性与缺陷形成、演化及作用机理，提出高 In 组分异质探测材料新结构和微 光敏区参数表征新方法， 建立多层异质材料微纳尺度物性与探测器关键性能参数 （量子效率、暗电流）的相关性。围绕超高灵敏度的高 In 组分异质探测材料结 构－材料生长－材料物性－器件性能的研究链，设计高 In 组分异质材料结构， 控制低缺陷生长过程，从而得到航天应用的高性能高 In 组分异质材料，进行器 件验证。基于这一理念，凝练归纳出关键科学问题具体如下： 1、 高 In 组分异质探测材料能带调控与载流子输运机制； 2、 高探测灵敏度的亚波长结构光场增强和局域化物理机理； 3、 失配体系异质探测材料缺陷的形成机制、演化效应及控制； 4、材料微光敏区参数的表征及其与航天应用器件性能的关联性。 关键科学问题和主要研究内容： 1、高 In 组分异质探测材料能带调控与载流子输运机制 围绕高 In 组分异质探测材料结构的基础作用，从材料体系、结构、掺杂构 型、晶格应力等方面研究多层异质探测材料的能带科学调控和少子输运特性机 制。具体科学问题主要包括：高 In 组分异质探测材料缓冲层新结构及其能带科 学调控，不同缓冲层结构、应变与弛豫和晶格完整性对能带结构的影响；基于 InGaAs 光吸收层的多层异质探测材料能带尖峰、势阱和导带价带带阶等能带精 . . 细结构及其理论修正方法；高 In 组分多层异质探测材料少数载流子输运的物理 过程，定量的少子输运及光电转化模型； 基于能带调控和结构设计的多层异质探 测材料晶格质量、失配应力、掺杂构型的改进方法。 主要研究内容包括：探索高 In 组分异质探测材料缓冲层新结构，获得宽带 隙 InAlAs 组分非单调变化及非线性递变的缓冲层、改进界面特性的短周期数字 递变超晶格异质界面过渡层和宽带隙 InAsP 组分递变缓冲层。研究缓冲层结构、 应变与弛豫和晶格完整性对高 In 组分多层异质外延材料能带结构的影响，通过 理论模拟数值分析方法研究不同材料