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第五章 FET三极管及其放大管考试试题 第五章 FET三极管及其放大管 一、判断题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（ ）。 √ 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（ ） × 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（ ） × IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（ ） × 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）前往 × 互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) √ 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。( ) × IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。( ) × 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。( ) √ 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳 1 定性好等优点。（ ） √ 场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（ ） × 二、填空题 场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。 源，栅 场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。 VGS（栅源电压），ID（漏极） 场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。 电压，1 当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。 耗尽型，增强型 场效应管具有输入电阻很 ＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。 大，强 输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。 共射（共源） 共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 共射 共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。 2 共集 图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。 耗尽型,N沟道 下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。 截止 下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。 可变电阻区 下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。 饱和 三、单项选择题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有 。 3 A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管D、NEMOS B UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A、PEMOS B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管 D、NEMOS C UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A、PEMOS B、增强型MOS管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（ ）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。 A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS B 下面的电路符号代表（ ）管。 A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOS D 下图为（ ）管的转移曲线图。 4 A、耗尽型PMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、增强型NMOS B 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 （ ）。