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半导体电阻率测量实验 半导体电阻率测量实验 PAGE 半导体电阻率测量实验 实验三 四探针法测量半导体电阻率、薄层电阻 一. 实验目的与意义 电阻率是半导体材料的重要电学参数，它能反映半导体内浅能级替位杂质的浓度。薄层电阻是用来表征半导体掺杂浓度的一个重要工艺参数，也可用来表示半导体薄膜的导电性。测量电阻率和薄层电阻的方法有很多种，如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法是目前广泛采用的标准方法，它具有操作方便，精度较高，对样品的几何形状无严格要求等优点。 本实验的目的是使学生掌握四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻原理、方法；熟悉四探针测试仪；并能针对半导体样品的不同几何尺寸进行测量数值的修正。 二. 实验原理 设样品电阻率ρ均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。引入点电流源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心的半球面，如图3-1所示。在以r为半径的半球上，电流密度j的分布是均匀的。 Ir I r （3-1） 若E为r处的电场强度，则 (3-2) 取r为无穷远处的电位ф为零，并利用 ，则有： （3-3） （3-4） 式（3-2）就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流对距离为r处的点的电势的贡献。 II1 2 3 4 I I 图3-2 四根探针与样品接触示意图 对于图3-2所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针１流入，从探针４流出，则可将1和４探针认为是点电流源，由式（3-3）得到探针２和３的电位为： (3-5) (3-6) 　　探针２、3电位差为：，由此得出样品电阻率为： （3-7） 式(3-7)就是利用直流四针探法测量电阻率的普遍公式。当电流取I=C时，则有ρ=V23，可由数字电压表直接读出电阻率。 实际测量中，最常用的是直线四探针。即四根探针位于同一直线上，并且间距相等，设相邻两探针间距为S，则半无穷大样品有： （3-8） 通常只要满足样品的厚度，以及边缘与探针的最近距离大于四倍探针间距，样品近似半无穷大，能满足精度要求。 块状和棒状样品的电阻率 四探针测试仪探针间距均为1mm，块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，符合半无穷大边界条件，有C=2π, 因此，只要I=，I0为该电流量程满刻度值，由电压表读出的数值就是电阻率。 片状样品的电阻率 片状样品其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供对样品的厚度、测量位置的修正系数。 (3-9) 式中：ρ0为半无穷样品的电阻率；为样品厚度W与探针间距S的修正函数，可由附录1查得；为样品形状和测量位置的修正函数，可由附录2查得。当圆形硅片的厚度满足时，有： （3-10） 掺杂层的薄层电阻 薄层电阻又叫方块电阻，是表面为正方形的半导体薄层的电阻，单位为Ω/□。四探针法在半导体工艺中还普遍用来测量掺杂层的薄层电阻，如下图，由于反向pn结的隔离作用，掺杂层下的衬底可视为绝缘层。表达式为： (3-11) 电流方向LL 电流方向 L L n-Si P-Si Xj 图3-3 方块电阻示意图 当半导体薄层尺寸满足半无穷大平面条件时，有： （3-12） 若I=，I0为该电流量程满刻度值，则Rs值可由电压表直接读出。 三. 实验内容 分别测量棒状、片状样品的电阻率，并对不同形状样品的测量值进行数值修正；了解电阻率的不均匀性，计算电阻率不均匀度；对掺杂样品测量其薄层电阻值 Rs。 四. 实验仪器与样品 SZ82型四探针测试仪，千分表。硅棒、硅片，表面掺有P型杂质的N型硅片样品。 SZ82型数字式四探针测试仪电器简介： 测试仪原理如图3-5所示。仪器电源经DC-DC变换器，由恒流源电路产生一个高稳定恒定直流电流，其量程分别为10μA，100μA，1mA，10mA，100mA，数值连续可调，输送到1，4探针上，在样品上产生一个电位差。此直流信号经由2、3探针输送到电器箱内。具有高灵敏度、高输入阻抗的直流放大器，并将直流信号放大（放大量程有：，2mv，20mv，200mv，2v）。 高灵敏直 双积分A/D 计数器 显示 流放大器 变换器