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第8章电力电子技术.pptx

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第8章 电力电子技术;前 言 ;8.1 电力半导体器件 ;8.1.1 不可控型开关器件 ;一、晶闸管(Silicon Controlled Rectifier) ;;; T1; 晶闸管导通后,去掉EG , 依靠正反馈,仍可维持导通状态。;晶闸管导通的条件:;;正向( uAK 0 );4. 主要参数;;UF: 通态平均电压(管压降) 在规定的条件下,通过正弦半波平均电流时, 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。;晶闸管型号及其含义 ;5. 晶闸管的工作情况; (3)在 t2~t3 之间, uAK0,尽管ug0,但 ud=0,即晶闸管关断; ;结论;6. 晶闸管的优点;路灯自动控制;;是一对反并联结的普通晶闸管的集成。 有两个主电极MT1和MT2,一个门极G。 门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通。 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。;特点:;;;五、光控晶闸管;1. G极可控制元件导通与关断(不同极性正负脉冲或电平) 2.触发电流(20mA)比普通晶闸管大(30uA) 3.动态特性好(关断1us),而晶闸管需(5-30us) 4.应用在直流调压和开关电路。;特点: 1. G极加正电压或正脉冲触发后导通,撤销控制信号,仍保持导通。 2. G极加负电压或负脉冲后关断,不需要外部电路强迫阳极电流减小而使之关断。;耐高电压、大电流的双极结型晶体管; 达林顿接法使得很小的外加驱动电流IB,可控制很大的集电极电流。属于电流控制型开关器件。;电力晶体管是用基极电流来控 制集电极电流的: 1. 基极通入正向信号电流,集电极电流上升,进入通态; 2. 给基极加一个负的电流脉冲,集电极电流一段时间后开始减小,逐渐进入断态。;三、电力场效应管PMOSFET(Field Effect Transistor );四、绝缘栅双极晶体管 IGBT;IGBT特性的优点: IGBT的特性兼有P-MOSFET和GTR二者的优点: a.通断驱动功率小; b.开关速度快(频率高,比GTR高得多); c.导通压降低(功率损耗小,比MOSFET小得多); d.阻断电压高(耐压高); e.承受电流大(容量大、功率大)。;;电力变??电路,按功能分: 1. 可控整流电路:把固定的交流电压变成固定或可调的直流电压。 2. 交流调压电路:把固定的交流电压变成可调的交流电压。 3. 逆变电路:把直流电变成频率固定或可调的交流电。 4. 变频电路:把固定频率的交流电变成可调频率的交流电。 5. 斩波电路:把固定的直流电压变成可调的直流电压。 6. 电子开关:功率半导体器件工作在开关状态可替代接触器和继电???用于频繁开合操作场合 ;整流;8.2.1 单相半波可控整流电路;(2) 工作原理;? t;;2. 电感性负载与续流二极管;? t;u 0时: D反向截止,不影响整流电路工作。;;一、半控桥式;io;? t;4. 输出电压及电流的平均值;两种常用可控整流电路;电路特点; 当整流电路输出接有反电势负载时,只有当电源电源的瞬时值大于反电势,同时又有触发脉冲时,晶闸管才能导通,整流电路才有电流输出,在晶闸管???断的时间内,负载上保留原有的反电势。; 单相半控桥式整流电路接反电势负载时,输出电压、电流波形:; 对于大容量电动机或蓄电池负载,常常串联电抗器,用以平滑电流的脉动:;1. 电路; 全控桥每半周期要求触发两只晶闸管。;当在 内变化时,输出电压从0.9U下降到接近于零,电流连续。 为了提高整流电压,也可在负载两端并接续流二极管。;:即在自然换相点触发;; 可能??受的最大反向电压为:;电阻性负载时: 当α≤π/6时,整流输出电压波形是连续的; 当α π/6时,整流输出电压波形是不连续,当电源电压下降到零时,电流也同时下降到零,所以,导通的晶闸管关断。; 每只晶闸管导通角为120°,输出电压的平均值为:;8.2.4 三相桥式全控整流电路; 桥式整流电路负载上的输出:两个极组的输出电压之和:;三相桥式半控整流电路; 利用晶闸管电路把??流电变成交流电,这种对应于整流的逆向过程,称之为逆变,把直流电变成交流电的装置,叫做逆变器。; 无源逆变电路; 改变两组开关每秒内闭合和断开的次数,就可改变输出电压的频率,这就是它的变频作用。; 要得到较高频率的交流电,利用有触点开关是不可能做到的,必须采用半导体开关

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