第8章电力电子技术.pptx

第8章 电力电子技术;前 言 ;8.1 电力半导体器件 ;8.1.1 不可控型开关器件 ;一、晶闸管（Silicon Controlled Rectifier） ;;; T1; 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。;晶闸管导通的条件：;;正向( uAK 0 );4. 主要参数;;UF: 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时， 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。;晶闸管型号及其含义 ;5. 晶闸管的工作情况; （3）在 t2~t3 之间， uAK0，尽管ug0，但 ud=0，即晶闸管关断； ;结论;6. 晶闸管的优点;路灯自动控制;;是一对反并联结的普通晶闸管的集成。 有两个主电极MT1和MT2，一个门极G。 门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通。 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。;特点：;;;五、光控晶闸管;1. G极可控制元件导通与关断（不同极性正负脉冲或电平） 2.触发电流(20mA)比普通晶闸管大(30uA） 3.动态特性好(关断1us)，而晶闸管需(5-30us) 4.应用在直流调压和开关电路。;特点： 1. G极加正电压或正脉冲触发后导通，撤销控制信号，仍保持导通。 2. G极加负电压或负脉冲后关断，不需要外部电路强迫阳极电流减小而使之关断。;耐高电压、大电流的双极结型晶体管; 达林顿接法使得很小的外加驱动电流IB，可控制很大的集电极电流。属于电流控制型开关器件。;电力晶体管是用基极电流来控 制集电极电流的： 1. 基极通入正向信号电流，集电极电流上升，进入通态； 2. 给基极加一个负的电流脉冲，集电极电流一段时间后开始减小，逐渐进入断态。;三、电力场效应管PMOSFET(Field Effect Transistor );四、绝缘栅双极晶体管 IGBT;IGBT特性的优点: IGBT的特性兼有P-MOSFET和GTR二者的优点： a.通断驱动功率小； b.开关速度快(频率高，比GTR高得多)； c.导通压降低(功率损耗小，比MOSFET小得多)； d.阻断电压高(耐压高)； e.承受电流大(容量大、功率大)。;;电力变??电路，按功能分： 1. 可控整流电路：把固定的交流电压变成固定或可调的直流电压。 2. 交流调压电路：把固定的交流电压变成可调的交流电压。 3. 逆变电路：把直流电变成频率固定或可调的交流电。 4. 变频电路：把固定频率的交流电变成可调频率的交流电。 5. 斩波电路：把固定的直流电压变成可调的直流电压。 6. 电子开关：功率半导体器件工作在开关状态可替代接触器和继电???用于频繁开合操作场合 ;整流;8.2.1 单相半波可控整流电路;(2) 工作原理;? t;;2. 电感性负载与续流二极管;? t;u 0时： D反向截止，不影响整流电路工作。;;一、半控桥式;io;? t;4. 输出电压及电流的平均值;两种常用可控整流电路;电路特点; 当整流电路输出接有反电势负载时，只有当电源电源的瞬时值大于反电势，同时又有触发脉冲时，晶闸管才能导通，整流电路才有电流输出，在晶闸管???断的时间内，负载上保留原有的反电势。; 单相半控桥式整流电路接反电势负载时，输出电压、电流波形：; 对于大容量电动机或蓄电池负载，常常串联电抗器，用以平滑电流的脉动:;1. 电路; 全控桥每半周期要求触发两只晶闸管。;当在 内变化时，输出电压从0.9U下降到接近于零，电流连续。 为了提高整流电压，也可在负载两端并接续流二极管。;：即在自然换相点触发;; 可能??受的最大反向电压为：;电阻性负载时： 当α≤π/6时，整流输出电压波形是连续的； 当α π/6时，整流输出电压波形是不连续，当电源电压下降到零时，电流也同时下降到零，所以，导通的晶闸管关断。; 每只晶闸管导通角为120°,输出电压的平均值为：;8.2.4 三相桥式全控整流电路; 桥式整流电路负载上的输出：两个极组的输出电压之和：;三相桥式半控整流电路; 利用晶闸管电路把??流电变成交流电，这种对应于整流的逆向过程，称之为逆变，把直流电变成交流电的装置，叫做逆变器。; 无源逆变电路; 改变两组开关每秒内闭合和断开的次数，就可改变输出电压的频率，这就是它的变频作用。; 要得到较高频率的交流电，利用有触点开关是不可能做到的，必须采用半导体开关