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Page 2 of 4 如何正确的选择MOSFET 中心议 如何正 解决方案： 选用 沟道还是 沟道 N P 确定额定电流 确定热要求 决定开关性能 MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩 MOSFET。 第一步：选用 沟道还是 沟道 N P 在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧 N MOSFET MOSFET 开关中，应采用 沟道 ，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当 连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常 是出于对电压驱动的考虑。 下一步是确定MOSFET所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于 保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS 。知道MOSFET能承受的最大电压 必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须要有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因 发的电压瞬变。 第二步：确定额定电流 视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额 MOSFET ( 考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下， 处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌 或尖峰电流 电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因 通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算 也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较 设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到 第三步：确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果 保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。 ( = +[ ]) 即 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积 结温 最大环境温度 热阻×功率耗散 。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散， 员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还要考虑半导体结 刷电路板和封装不会立即升温。 第四步：决定开关性能 / / / 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极 漏极、栅极 源极及漏极 源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时