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- 2021-10-13 发布于重庆
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2012-04-23;2012-04-23;晶圆-- 单晶制备;晶圆-- 单晶制备;晶圆 -- 切片;晶圆制备 -- 外延层;光刻;光刻;光刻;掺杂;掺杂 -- 扩散;掺杂 -- 离子注入;掺杂 -- 离子注入;CVD(化学气象淀积);N阱扩散;场注入(沟道终止注入);场氧(热氧化生长);场氧(热氧化生长);栅氧和阈值电压调整;多晶硅淀积;源/漏注入;源/漏注入;接触孔;金属化;钝化层;工艺扩展;版图(Layout)设计;版图设计;版图设计;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造???程;集成电路设计制造过程;集成电路设计制造过程;版图结构;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;版图;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23;2012-04-23
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