X年春季学期微电子器件基础第二章.pptxVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷;定义： 杂质 构成半导体的基质原子以外的其它原子 缺陷 偏离理想半导体周期结构的现象;Si;以硅晶体掺磷为例：;;;施主正电荷中心---施主杂质电离后形成的离子实 施主杂质电离---束缚电子被释放的过程 施主杂质电离能---束缚电子成为导带电子所需最小能量 施主杂质---释放束缚电子、并成为不可动正电荷中心的杂质 施主能级---束缚电子的基态能量 施主束缚态（中性态）---施主杂质未电离时的状态 施主离化态---施主杂质电离后的状态（不可动、带正电） N型半导体---以导带电子导电为主的半导体 施主杂质浓度---单位体积中施主杂质原子数 深施主杂质---施主能级离导带底较远的施主杂质 浅施主杂质---施主能级离导带底较近的施主杂质; 浅施主、深施主杂质的能带图;束缚空穴;;;受主负电荷中心---受主杂质电离后形成的离子实 受主杂质电离---束缚空穴被释放的过程 受主杂质电离能---束缚空穴成为价带空穴所需最小能量 受主杂质---释放束缚空穴，并成为不可动负电荷中心的杂质 受主能级---被束缚空穴的基态能量 受主束缚态（中性态）---受主杂质未电离时的状态 受主离化态---受主杂质电离后的状态（不可动、带负电） P型半导体---以价带空穴导电为主的半导体 受主杂质浓度---单位体积中的受主杂质原子数 深受主杂质---受主能级离价带底较远的施主杂质 浅受主杂质---受主能级离价带底较近的施主杂质; 浅受主、深受主杂质的能带图表示;例1、; 施主释放电子填满全部受主能级后，余下的电子发射到导带。若杂质全部电离，半导体有效杂质浓度，; 施主向受主能级发射电子，填充部分受主能级，剩余的受主杂质向价带发射空穴。 若杂质全部电离，有效杂质浓度，;; 利用杂质补偿，选择性改变半导体芯片局部区域导电类型或导电能力。 ;　硅半导体中各种杂质能级测量结果;Dopant; 多能级杂质 ;0.04 ;中性态;2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的杂质;2.2.2 砷化镓中杂质及其能级状态;A、I族元素 I族元素一般在砷化镓中起受主作用。 银--替位，受主能级（EV+0.11）eV、（EV+0.238）eV； 金--替位，受主能级（EV+0.09）eV； 铜--替位，受主能级（EV+0.14）eV、（EV+0.44）eV； --替位铜原子对Cu-Cu，受主能级（EV+0.24）eV； --间隙，施主能级（EC-0.07）eV； 锂--间隙，受主能级（EV+0.023）eV； 钠--施主，迁移率高、不稳定，不能作为掺杂剂；;B、Ⅱ族元素 铍、镁???锌、镉比镓原子少1个价电子，替位取代镓原子，获得一个电子形成共价键，产生4个浅受主能级： （EV+0.030）eV （EV+0.030）eV （EV+0.024）eV （EV+0.021）eV;例：磷化镓GaP掺N; 等电子陷阱俘获一种载流子成为带电中心后，又俘获另一种电荷符号相反的载流子，形成束缚激子。 ;D、IV族元素碳、硅、锗、锡、铅 ; 砷化镓掺硅浓度1018 cm-3时，部分硅原子替代镓起浅施主作用，部分硅原子替代砷起浅受主作用。导带电子浓度趋于饱和，不随硅杂质浓度增加而增加，形成自补偿。;EV+0.10eV--(SiGa–SiAs)或(SiGa- VGa)络合物; VI族原子替代V族原子，比V族原子多的一个价电子容易失去，产生施主能级。 掺碲或硒获得N型砷化镓。 p型砷化镓掺氧获得电阻率107Ωcm的半绝缘砷化镓。;2.3 宽禁带半导体GaN、AlN、SiC中的杂质及杂质能级 ;图2-14 纤锌矿型AlN杂质能级(eV);杂质;杂质; 热涨落使部分格点原子克服势垒，迁移到晶体表面格点，形成空位。 一定温度下空位浓度，; 格点原子脱离格点进入间隙，形成间隙原子和空位。 一定温度下，弗仑克耳缺陷浓度，; 空位最近邻4个硅原子各有１个不成键电子，能接受电子，起受主作用。 间隙硅原子的4个价电子可以失去，起施主作用。;性质： ① 正离子空位带负电(受主性），负离子空位带正电（施主性） ② 负电性小的间隙原子是施主，负电性大的间隙原子是受主 ③ 负电性小的原子偏多产生负离子空位，负电性大的原子偏多 产生正离子空位;例1、 在硫分压大的气氛中处理硫化铅，产生铅空位获得P型硫化铅； 在铅分压大的气氛